编者按：中国科学院大学微电子学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院。为了提高学生对先进光刻技术的理解，本学期微电子学院开设了《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》研讨课。在授课过程中，除教师系统地讲授外，学生还就感兴趣的课题做深入调研。师生共同讨论调研报告，实现教学互动。调研的内容涉及光刻工艺、光刻成像理论、SMO、OPC和DTCO技术。考虑到这些内容也是目前业界关注的实用技术，征得教师和学生的同意，本公众号将陆续展示一些学生的调研结果。这些报告还很初步，甚至有少许谬误之处，请业界专家批评指正。

往期回顾：

1.【litho-show】DTCO中用于坏点检测的人工智能算法

2.【litho-show】几种典型的 DTCO流程对比分析

3.【litho-show】SMO技术中的各种算法对比分析

4.【litho-show】刻蚀模型的研究现状分析

5.【litho-show】EUV光刻胶当前的发展状态及面临的挑战

6.【litho-show】EUV光刻中的光刻胶随机效应及补偿方案分析

7.【litho-show】商业软件中掩模的仿真策略分析

8.【litho-show】新型芯片对光刻的需求 ——以高通骁龙845为例

9.【litho-show】对准和套刻的测量方法及原理

10.【litho-show】EUV光刻中掩模阴影效应的产生机理及补偿方案分析

11.【litho-show】各种存储器的对比分析及光刻的要求

12.【litho-show】高数值孔径EUV光刻系统的特征分析

13.【Study】基于衍射的套刻对准工作原理及影响因素

14.【Study】基于图像的套刻对准方法

15.【Study】套刻误差的分析与修正

16.【Study】ASML、Nikon采用的对准技术

17.【Study】基于蒙特卡洛方法的 EUV 光刻胶模型

18.【Study】EUV系统SMO技术和OPC技术的特点

19.【Study】EUV掩模版中缺陷的检测及补偿方法

20.【Study】光刻胶图形缺陷概率的定义与计算

21.【Study】浸没式光刻工艺缺陷种类与特征

22.【Study】严格耦合波分析（RCWA）方法原理

23.【Study】傅里叶级数与傅里叶变换

24.【Study】时域有限差分法（FDTD）方法原理

25.【Study】典型显微系统的光学成像原理

26.【Study】考虑连线的标准单元库优化技术

27.【Study】综合考虑了各工艺因素的良率优化技术

28.【Study】极紫外光刻（EUVL）技术的现状，趋势以及面临的挑战

29.【Study】DTCO的概念与流程

30.【Study】SADP技术的特点及其对图形拆分方法的要求

31.【Study】辅助图形的添加规则与方法

32.【Study】负显影工艺的特点及仿真难点分析

33.【Study】3D NAND技术特点和发展现状

34.【Study】小尺寸节点下CMP aware的版图优化

35.【Study】考虑了Forbidden Pattern的定向自组装设计规则优化

36.【Study】3D IC对光刻技术的新要求

37.【Study】任意图形LER和LWR 的定义和计算

38.【Study】物镜像差的种类及检测方法

39.【Study】基于良率的工艺综合模型分析

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简介：

《超大规模集成电路先进光刻理论与应用》光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律得以继续。本书覆盖现代光刻技术的重要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺。在设备部分，对业界使用的主流设备进行剖析，介绍其原理结构、使用方法、和工艺参数的设置。在材料部分，介绍了包括光刻胶、抗反射涂层、抗水涂层、和使用旋图工艺的硬掩膜等材料的分子结构、使用方法，以及必须达到的性能参数。本书按照仿真技术发展的顺序，系统介绍基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、亚分辨率曝光辅助图形、光源-掩模协同优化技术和反演光刻技术。如何控制套刻精度是光刻中公认的技术难点，本书有一章专门讨论曝光对准系统和控制套刻精度的方法。另外，本书特别介绍新光刻工艺研究的方法论、光刻工程师的职责，以及如何协调各方资源保证研发进度。