北京理工大学微电子考研概况

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北京理工大学微电子考研概况


01

招生简章介绍


北京理工大学的2020年的招生简章已经出来了，较之2019年，集成电路工程专业取消了非全日制招生，但全日制招生人数翻倍，招收10个统考生，2019年只招收全日制统考生5人。


北理与微电子相关的专业都在信息与电子学院，其中电子科学与技术专业有两个研究方向是微电子与集成电路和微纳光电子学，考试科目可以选择和集成电路工程专业一样的887电子科学与技术基础，也可以选择另一门882电路、信号与系统，公共课都是数一英一。这个两个方向招收人数北理给出了明确信息，微电子与集成电路招8人，微纳只招一人。


总体来说，与2019年差别不大。具体情况如下：





02

考试大纲介绍


882考纲介绍


考试范围


1.信号与系统的基本概念
2.LTI系统的时域分析
3.确定信号的频谱分析
4.LTI系统的频域分析
5.LTI系统的复频域分析
6.数制与编码
7.逻辑代数基础
8.逻辑门电路
9.组合逻辑电路
10.触发器
11.常用时序电路组件
12.时序逻辑电路
13.脉冲信号的产生和整形
14.数-模、模-数变换器
15.存储器及可编程器件


题型及分值分布情况


“电路、信号与系统”考试科目满分150分，其中“信号与系统”和“数字电路”考题各占75分。具体情况如下：


“信号与系统”部分：基础题占25分，综合题占50分；

“数字电路”部分：组合电路分析与设计题占25分，时序电路分析与设计题占30分，其它部分为问答/填空题，占20分。


参考书目




887考纲介绍


考试范围：


（1）电子技术基础部分


主要包括二极管、三极管的结构、特性及主要参数；
掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。晶体管放大电路的组成和工作原理。
掌握图解分析法和等效模型分析法；
掌握放大电路的三种组态及性能特点、电路的三种耦合方式及特点。
掌握反馈的基本概念：正、负反馈；电压、电流、串联、并联负反馈；
掌握反馈类型和极性判断，引入负反馈对放大性能的影响。比例、加减、微积分线性运算电路。
一般了解对数、指数运算电路的工作原理及一阶、二阶有源滤波器的电路组成、频率特性。
了解产生自激振荡的条件。掌握电压比较器，用电压比较器组成的非正弦发生电路。
掌握逻辑代数的基本公式、基本规则；逻辑代数的表示方法及相互转换。
掌握各种门的逻辑符号、功能、特点、使用方法。正确理解TTL门和CMOS门电路的结构、工作原理。


（2）电磁场理论部分


主要考察考生对电磁理论基本内容的理解和掌握程度，以及灵活应用知识的能力。试卷命题对大纲内容有覆盖性和广泛性，题型主要包括概念题、计算题和证明推导题。应掌握的基本内容为：


①矢量分析：三种常用坐标系内的梯度、散度和旋度的运算、几种重要矢量场的定义和性质；
②静电场：库仑定律、电场与电场强度、高斯定律、静电场的环路定律、电位和电位差、电位的泊松方程和拉普拉斯方程、电偶极子、电介质中的静电场、静电场中的导体、电场能量与静电力；
③恒定电场和电流：恒定电流场的基本定律、欧姆定律和焦耳定律、恒定电流场的边界条件、恒定电流场与静电场的类比；
④恒定磁场：安培磁力定律和毕奥---沙伐定律、恒定磁场的基本定律、矢量磁位和标量磁位、磁偶极子、磁介质中恒定磁场基本定律、磁介质的边界条件；
⑤静态场的边值问题：拉普拉斯方程的分离变量法、镜象法、有限差分法；
⑥电磁感应：法拉第电磁感应定律、电感、磁场的能量；
⑦时变电磁场：位移电流和推广的安培回路定律、麦克斯韦方程组、正弦电磁场、媒质的色散与损耗、坡印廷定理、电磁场的波动方程、标量位和矢量位、时变电磁场的边界条件；
⑧平面电磁波：理想介质中的均匀平面电磁波、电磁波的极化、有耗媒质中的均匀平面电磁波、理想媒质界面上电磁波的反射和折射、全折射和全反射；
⑨导行电磁波：矩形波导管中的电磁波、TE10模电磁波、波导中的能量传输与损耗、传输线上的TEM波、谐振腔；
⑩电磁波辐射：赫芝偶极子辐射、磁偶极子天线的辐射、线天线、天线的方向性系数和增益。


（3）半导体物理部分


主要包含半导体中的电子状态；
半导体中的电子状态和能带、电子的运动，本征半导体的导电机构、空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构；
半导体中的杂质和缺陷能级，硅、锗晶体中的杂质能级、缺陷、位错能级；
半导体中载流子的统计分布、状态密度，费米能级、载流子浓度的计算，简并半导体；
载流子的位移与扩散运动，载流子的散射、迁移率、电阻率、强场效应、热载流子、多能谷散射，耿氏效应；
非平衡载流子的注入，复合寿命，费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的迁移运动，爱因斯坦关系，连续性方程；PN结的伏安特性，PN结电容，击穿；金属和半导体的接触的理论，少子的注入与欧姆接触；
表面态，表面场效应，C-V特性，表面电场对PN结特性的影响；
半导体的光学性质，光电性质，发光现象，半导体激光器；半导体的热电性质，温差电动势率，热电效应及其应用；半导体磁效应和压阻效应。


考试要求


电子技术基础部分要求全部考生必做:


电磁场理论部分（A）要求报考 02 电磁仿真与天线、03 毫米波太赫兹技术与系统方向考生必做；
半导体物理部分（B）要求报考 04 微电子与集成电路方向考生必做；


报考其他方向考生可任选A或B。


题型及分值安排


题型:简答题和计算题。简答题包含概念题和重要数学公式及其物理意义，计算题包含数学模型、重要物理量计算、设计等。


分值安排：简答题占40%，计算题占60%。


参考书目


(1)吴丙申,卞祖富.模拟电路基础.北京理工大学出版社,1997.
(2)刘恩科,朱秉升,罗晋生等.半导体物理学.国防工业出版社,1994.
(3)陈重,崔正勤.电磁场理论基础.北京理工大学出版社,2003.


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