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从AMD拆分出来的Globalfoundries（格芯，简称GF）公司去年8月份突然宣布放弃7nm及以下工艺，专注14/12nm及特种工艺，为此AMD也不得不将7nm订单完全转交给台积电。GF这边，14/12nm工艺依然会给AMD代工。

虽然不追求更尖端的工艺了，但是GF并没有停止技术升级。在今天开始的全球技术大会GTC上，格芯宣布推出12LP+工艺。

据悉，这次推出的12LP+工艺是在12nm LP（它又是在14nm工艺上改良的）基础上改良优化的，与后者相比性能提升了20%，功耗降低了40%，面积缩小了15%。

该工艺的一大特点是高速，SRAM单元电压低至0.5V，支持处理器、内存之间的高速低功耗数据传输，这是计算及AI应用中的重要要求。

与此同时，GF还同步推出了适用于AI应用及程序/技术联合开发（DTCO）服务的设计参考套件，这两者都能从整体上提高AI电路的设计，实现低功耗、低成本的开发。

另外一个关键功能就是2.5D封装，该技术有助于将高带宽内存HBM与处理器集成在一起，以便进行高速、低功耗的数据传输。

GF表示12LP+工艺可以在AI应用中充分利用ARM的物理IP及POP IP核心，同时这两种IP方案也适用于原始的12nm工艺。

对于12LP+工艺，GF官方表示他们的12LP+解决方案可以给客户提供他们希望从7nm工艺中获得的性能、功耗优势，但NRE成本只有7nm工艺的一半，可以节约很多。此外，12nm工艺已经足够成熟，客户流片速度也会很快，有助于快速满足不断增长的AI市场需求。

根据GF的消息，12LP+工艺的PDK现在已经可用，正在跟多个客户合作，预计在2020下半年流片，2021年开始在纽约的Fab 8工厂量产。

格芯的12nm策略

格芯于2018年宣布退出10nm及更先进制程的研发，这样，该公司的最先进制程就是12nm了。该公司是分两条腿走路的，即FinFET和FD-SOI，这也充分体现在了12nm制程上，在FinFET方面，该公司有12LP技术，而在FD-SOI方面，有12FDX。12LP主要针对人工智能、虚拟现实、智能手机、网络基础设施等应用，利用了格芯在纽约萨拉托加县Fab 8的专业技术，该工厂自2016年初以来，一直在大规模量产格芯的14nm FinFET产品。

由于许多连接设备既需要高度集成，又要求具有更灵活的性能和功耗，而这是FinFET难以实现的，12FDX则提供了一种替代路径，可以实现比FinFET产品功耗更低、成本更低、射频集成更优。

数据显示，格芯的12FDX制程能够以低于16nm FinFET 制程的功耗和成本，提供等同于10 nm FinFET的性能，并且支持全节点缩放，使性能比FinFET 制程提升15%，功耗降低50%。 而掩模成本也比10nm FinFET减少40%。格芯的12FDX制程在号称成本、功耗等方面都优于台积电主力16nm制程的情况下，台积电推出了第四代16nm制程，也就是12nm 制程，使得双方的竞争进一步加剧，而格芯12FDX的量产时间要比台积电的12nm制程晚一些，这些对于12FDX来说，在后续的市场竞争中，是个不小的考验。

目前，格芯正在大力推广其12nm制程，不久前，该公司宣布开发出了基于Arm的3D高密度测试芯片，该芯片采用GF的12nm FinFET工艺制造，采用3D的Arm网状互连技术，允许数据更直接地通往其他内核，最大限度地减少延迟。

格芯表示，他们的方法可以在每平方毫米上实现多达100万个3D连接，使其具有高度可扩展性，并有望延长12nm工艺的寿命。目前来看，相对于7nm，12nm工艺更加成熟、稳定，因此，目前在3D空间上开发芯片更容易，而不必担心如7nm制程可能带来的问题。