编者按：先进的光刻胶对于IC制造至关重要，在本次会议中，来自汉拓的胡华勇介绍了其研发团队的最新进展。第一个示例是覆盖12至16μm的超厚KrF（248nm）光刻胶，这对于制造3D NAND存储设备至关重要。在保持良好的耐蚀刻性的同时，成功解决了几个关键问题，例如高紫外线吸收率，较差的附着力和膜破裂等。在ArF领域，他们展示了在实验室中达到180nm间距（线/间距和接触孔）的能力。汉拓还提供一系列电子束光刻胶产品，从传统的正性PMMA到含负性Si的电子束光刻胶，分辨率高达10-15 nm。其化学放大型电子束光刻胶（正负）均具有50 nm或更小的分辨率。除了用于IC前端应用的光刻胶，他们还研发了覆盖20-110 um厚度的晶圆级封装负性光刻胶。报告介绍，汉拓已经研发出25种用于IC和封装应用的光刻胶产品，旨在成长为中国IC行业主要的自主研发光刻胶供应商。