IFWS2019丨功率电子器件及封装技术 (GaN和SiC)论坛将于26日召开
会议简介
2019年11月25-27日，第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）将在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办。深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。
作为论坛的重要组成部分，功率电子器件及封装技术 (GaN和SiC)论坛将于11月26日深圳会展中心•六层•茉莉厅召开。SiC和GaN作为第三代半导体材料的典型代表，也代表了功率电子器件的发展方向，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、新能源汽车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。本分会的主题涵盖碳化硅/氮化镓电力电子器件的新结构与新工艺开发、碳化硅/氮化镓功率电子器件栅驱动设计、高效高速碳化硅/氮化镓功率模块设计与制造，碳化硅/氮化镓封装技术和碳化硅/氮化镓功率应用与可靠性等。分会将邀请国内外知名专家参加本次会议，呈现碳化硅/氮化镓功率电子器件及封装技术研究与应用的最新进展。
时间：2019年11月26日全天09:00-17:00
地点：深圳会展中心•六层•茉莉厅（电梯直达五层，扶梯至六层）
分会组织机构
主办单位：
国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
协办单位：
英诺赛科科技有限公司
德国爱思强股份有限公司
苏州锴威特半导体股份有限公司
中国电子科技集团第十三研究所
国家电网全球能源互联网研究院有限公司
分会主席
盛况/SHENG Kuang
浙江大学特聘教授，电气工程学院院长
1995年毕业于浙江大学获电力电子专业学士学位；1999年毕业于英国爱丁堡Heriot-Watt大学获计算机及电气工程博士学位；1999-2002年英国剑桥大学工程学系任博士后；2002-2009在美国Rutegers大学（即新泽西州大学）任教；2009年被评为教育部长江学者，担任浙江大学电气工程学院特聘教授。主要从事电力电子器件及电力电子集成电路领域的研究。
陈敬/Kevin J. CHEN
香港科技大学教授
陈教授1988年获得北京大学学士学位，1993年获得美国马里兰大学帕克分校博士学位。陈教授自2000年起在香港科技大学任教，现为电子和计算机工程系正教授。他所带领的团队目前的研究重点在于开发电力电子、无线电/微波及耐高温电子应用等方面的GaN器件技术。
陆国权/Guo-Quan LU
美国弗吉尼亚理工大学终身教授、天津大学材料科学与工程学院教授
陆国权，博士，天津大学材料科学与工程学院，教授，博士生导师。1984年获得美国卡耐基-梅隆大学材料科学工程专业和物理学专业双学士学位，1990年获得美国哈佛大学应用物理专业博士学位；1992年进入美国弗吉尼亚理工大学工作，曾获美国国家自然科学基金Career奖，2003年成为弗吉尼亚理工大学终身教授，美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统研究中心CPES骨干科学家。他已成功在功率半导体器件和模块中实现倒装焊、球栅阵列和旋涡阵列连接，双面冷却封装，平面化封装等专利技术。
分会委员
吴伟东
加拿大多伦多大学教授
张波
电子科技大学教授
柏松
中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员
张进成
西安电子科技大学教授
梁辉南
大连芯冠科技有限公司总经理
刘扬
中山大学教授
邀请嘉宾
Masaaki KUZUHARA
日本福井大学教授
Masaaki Kuzuhara分别于1979、1981和1991年从日本京都大学获得电气工程学学士、硕士及博士学位。1981年他曾参与关于III-V heterojunction FETs的科研工作。1998至2003年，他致力于开发用于电源应用的氮化镓基异质结FETs。2004年，他成为福井大学工程研究院教授。他目前的研究领域包括用于高压和高频应用的IIInitride异质结构器件。2002年获得新技术发展基金会颁发的一村奖，以奖励他在用于手机的3V GaAs HEMT的技术发展上的卓越贡献。2006年他获得福井县科学奖，以表彰他在发展高压GaN HEMT结构上的贡献。他还是IEEE会士及日本应用物理学会会士。
敖金平/AO Jinping
日本德岛大学教授, 西安电子科技大学特聘教授
敖金平博士1989年毕业于武汉大学物理系，获学士学位。1992年获电子工业部第十三研究所半导体物理与半导体器件物理硕士学位。2000年获吉林大学微电子学与固体电子学博士学位。2001年赴日本国立德岛大学作博士后研究员，2003年11月起加入德岛大学并于2012年升任准教授。2016年起任西安电子科技大学特聘教授，博士生导师。主要从事基于GaN的光电器件和电子器件的研究工作。敖博士是国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员，美国电气化学协会(ESC)会员，日本应用物理学会会员以及日本电子情报通信学会会员。
吴伟东/Wai Tung NG
加拿大多伦多大学教授
吴伟东，多伦多大学电子与计算机工程系教授，其研究领域涵盖智能功率半导体器件及其制作工艺，他尤其擅长功率管理集成电路、集成电源开关和集成D类音频功率放大器的开发。1990年获得多伦多大学的博士学位。1992年吴教授加入香港大学开始学术研究生涯。1993年，吴教授加入多伦多大学，组建了智能功率集成电路和半导体器件研究团队，他于1998年和2008年分别晋升为副教授和正教授，他拥有智能功率集成电路和射频领域CMOS技术研发与改进的丰富阅历。
朱文辉 / ZHU Wenhui
中南大学教授
朱文辉，973项目首席科学家，国家科技重大专项02专项总体论证专家委员会专家，封测产业创新战略联盟咨询委专家。主要研究方向是纳微电子三维集成与测试。领导开发了新一代TSV-CIS，3DTSV，FCCSP/BGA，高密度V/UQFN，FCQFN和AAQFN等系列技术并实现量产。
张清纯/ Jon ZHANG
北卡罗来纳州立大学客座教授, PowerAmerica研究院功率器件技术主任
张清纯博士曾任职于北卡罗来纳州立大学管理第三代半导体产业链建设项目，促进下一代碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率电子器件市场化进程。作为资深科学家，长期从事SiC器件的研发和产业化。撰写了超过100篇科技论文和SiC器件的专著， 多次被邀请作会议报告。作为第一和合作发明人，拥有85多项美国专利。多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席；曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席。
Christina DIMARINO
美国弗吉尼亚理工大学助理教授
美国弗吉尼亚理工大学电气与计算机工程系助理教授。2012年她作为研究生加入弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心(CPES)。2014年她取得电力电子系统中心的硕士学位，主要研究项目为碳化硅晶体管的高温特性。2018年她取得中心的博士学位，研究项目为10 kV碳化硅功率MOSFET封装。
Alexander S. USIKOV
美国Nitride Crystals Inc. 首席技术官
1984年Alexander S. USIKOV博士于俄罗斯圣彼得堡约菲物理技术研究院半导体取得物理学博士。2013年起，他成为美国Nitride Crystals Inc.首席技术官，现在负责管理数项晶体生长和外延项目。Usikov博士现在主要的研究活动包括新型HVPE设备的开发和生长第三族氮化物准晶材料和外延生长，III- N器件结构和用于医学和生物学的蛋白质DNA检测的石墨烯传感器的技术。
傅玥/Fred Yue FU
苏州量微半导体有限公司总经理兼联合创始人；加拿大GaNPower International Inc. 副总裁兼联合创始人
傅玥，电子工程博士，美国电工与电子工程师学会（IEEE）高级会员，中国电源学会元器件专家委员会委员，获得美国中佛罗里达大学电子工程博士学位。2015年傅玥联合其他几位在加拿大相关领域卓有建树的专家在温哥华成立加拿大GaNPower International Inc.，并使其成为全球最早推出商用增强型氮化镓功率器件产品的公司之一。2018年GaNPower International Inc.在苏州工业园区成立苏州量微半导体有限公司，傅玥出任该公司总经理。
李湛明/Simon LI
加拿大CROSSLIGHT半导体软件公司创立人兼总裁
早年经华人诺奖得主李政道博士创立的中美联合培养物理类研究生计划（CUSPEA）前往北美留学。曾在加拿大国家研究署工作，其间从事半导体激光器的模拟仿真开发，并使其成为全球第一个商用激光器仿真软件。1995年创立加拿大CROSSLIGHT半导体软件公司， 现已成为全球光电器件及化合物半导体仿真领域知名度最高的商业软件公司。李博士是著名光电器件国际学术会议—NUSOD的创始人，也作为技术核心领头人创办了GaNPower International 等半导体芯片公司。
Burkhard SLISCHKA
德国ALLOS Semiconductors联合创始人兼总裁
Burkhard Slischka是德国ALLOS Semiconductors总裁。ALLOS是专营硅基氮化镓专利和技术的IP授权和开发的公司，其技术平台为Micro LED，功率半导体和微波射频应用提供解决方案。该公司总部位于德国德累斯顿，为全球客户提供服务。在共同创立ALLOS之前，Burkhard曾是硅基氮化镓外延晶片供应商AZZURRO Semiconductors的首席执行官，并作为管理者处于行业领导地位。他拥有柏林洪堡大学的经济学与商业学位。在ALLOS，他的主要重点是战略和全球合作伙伴关系开发以及多项目管理。
丁国华/DING Guohua
苏州锴威特半导体股份有限公司总裁
苏州锴威特半导体有限公司总裁，1986年本科毕业于西安交通大学半导体物理与器件专业，1991年东南大学半导体物理与器件专业硕士毕业。1986年7月至1997年12月在中国华晶电子集团公司工作，历任产品工艺工程师、产品设计工程师及分厂技术副厂长等职务。2003年5月创立无锡硅动力微电子股份有限公司，先后任公司副董事长，总经理、董事长等职务。曾被无锡政府授予优秀总经理。在2015年加盟苏州锴威特半导体股份有限公司，任公司总裁，获苏州姑苏领军人才。公司致力于功率半导体器件与功率集成芯片的开发与销售。公司于2018年成功推出量产级1200V SiC MOSFET，公司2018年获江苏省“科技小巨人企业”称号。
Denis MARCON
比利时IMEC的高级业务发展经理
Denis Marcon于2006年取得意大利帕多瓦大学的硕士学位。随后，他于2011年获得鲁汶天主教大学和IMEC的工程学博士学位，论文名为“基于功率氮化镓的晶体管的可靠性研究”。目前，他是比利时IMEC的高级业务开发经理，直接负责IMEC在GaN功率电子领域以及基于Si的器件和传感器的专门开发项目上的合作。
杨霏/YANG Fei
国家电网全球能源互联网研究院功率半导体研究所副总工、教授
Ismail I. KASHKOUSH
美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官
Ismail Kashkoush博士于1993年获得美国克拉克森大学（纽约州波兹坦）的工程科学博士学位。他现在负责管理美国NAURA-Akrion, Inc.公司的工程，技术和产品线团队。Kashkoush博士于1988年加入半导体行业，此后在技术，工艺工程和产品开发领域担任过各种研发职位。
David C. ZHOU
英诺赛科研发中心副总裁
周博士现在是英诺赛科研发中心副总裁，主要研究范围包括氮化镓器件研发和可靠性工程。他从电子科技大学取得学士和硕士学位，并从香港科技大学取得了博士学位
周继禹/ZHOU Jiyu
日本德岛大学
1995年在南开大学获得理学硕士学位。在任中国矿业大学讲师期间，参与建设了该校第一个多媒体教学实验室，这在当时的中国都是很领先的。之后在不同的公司工作，先后任工程师、经理和高层管理。现任无锡雷华网络技术有限公司总经理。拥有两项个人专利，其中一项是已授权的发明专利。2018年进入德岛大学，作为敖金平教授的博士生，主要研究基于GaN的ISFET。
会议日程
P202：功率电子器件及封装技术 (GaN和SiC)/ Technologies for Power Electronics and Packaging (SiC & GaN) | |
时间：2019年11月26日全天08:30-18:00 地点：深圳会展中心•六层•茉莉厅 Time: Nov 26th, 2019 09:00-17:00 Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center • 6th Floor Jasmine Hall | |
主持人 Moderator | 盛况/SHENG Kuang 浙江大学特聘教授，电气工程学院院长 / Qiushi Distinguished Professor, Dean of the College of Electrical Engineering of Zhejiang University 陈敬/Kevin J. CHEN 香港科技大学教授 / Professor of the Hong Kong University of Science and Technology 陆国权/Guo-Quan LU 美国弗吉尼亚理工大学终身教授、天津大学材料科学与工程学院教授 / Tenured Professor of Virginia Polytechnic Institute and State University, Professor of Tianjin University |
09:00- 09:25 | 碳化硅功率器件最新进展综述 The latest development of SiC power devices 张清纯 北卡罗来纳州立大学客座教授, PowerAmerica研究院功率器件技术主任 Jon Zhang Visiting professor of north Carolina state university, |
09:25- 09:50 | 碳化硅高压电力电子器件及应用进展 New Progress of SiC high voltage power electronic devices and applications 杨霏 国家电网全球能源互联网研究院功率半导体研究所副总工，教授 YANG Fei Professor & Deputy Chief Engineer of Institute of Power Semiconductor at Global Energy Interconnection Research Institute, State Grid |
09:50- 10:10 | 改进碳化硅MOSFET RONSP的器件结构和工艺研究 SiC MOSFET Device Structure and Process Study 丁国华 苏州锴威特半导体股份有限公司总裁 DING Guohua CEO of Suzhou Convert Semiconductor Co. Ltd. |
10:10- 10:30 | 大电流1.2kV SiC JBS器件浪涌能力电热分析 Electro-thermal Analysis of 1.2kV-100A SiC JBS Diodes Under Current Overload 汤益丹 中国科学院微电子研究所 Yidan TANG Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences |
10:30- 10:50 | SiC基石墨烯生物芯片 Graphene-on-SiC for gas detection and bio-sensors Alexander S. USIKOV 美国Nitride Crystals Inc. 首席技术官 Alexander S. USIKOV CTO of Nitride Crystals Inc.，USA |
10:50- 11:05 | 茶歇/Coffee Break |
11:05- 11:30 | 高电压宽禁带功率半导体封装技术 Packaging of high-voltage wide-bandgap power semiconductors Christina DiMarino 美国弗吉尼亚理工大学助理教授 Christina DiMarino Assistant Professor of Virginia Polytechnic Institute and State University, USA |
11:30- 11:50 | 高功率和高温IGBT及功率模块封装研究 High power & high temperature IGBT and WIDE bandgap power semiconductor modual package 朱文辉 中南大学微电子系创建主任，教授 ZHU Wenhui Founding & director of the department of microelectronics, Central South University |
11:50- 12:10 | 宽禁带器件的设计和TCAD模拟 Design and TCAD Simulation of Widegap Semiconductor Devices 李湛明 加拿大CROSSLIGHT半导体软件公司创立人兼总裁 Simon LI Founder & CEO of Crosslight Software Inc., Canada |
12:10- 14:00 | 午休与POSTER交流 / Adjourn & POSTER Communication
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14:00- 14:25 | GaN Power Devices Beyond 650V and 150C Yifeng WU 美国Transphorm Inc.高级副总裁 Yifeng WU Sr. V.P. of Engineering, Transphorm Inc., USA |
14:25- 14:50 | 基于半绝缘GaN衬底生长的高击穿电压GaN HEMT器件 High-breakdown voltage GaN HEMTs fabricated on semi-insulating GaN substrates Masaaki KUZUHARA 日本福井大学教授 Masaaki KUZUHARA Professor of University of Fukui |
14:50- 15:10 | 针对带有反向导通检测功能的E型GaN HEMT器件的栅极电源电路设计 A Gate Driver IC for E-mode GaN HEMTs with Reverse Conduction Detection 吴伟东 加拿大多伦多大学教授 Wai Tung NG Professor at University of Toronto |
15:10- 15:30 | 常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展 Development of Normally-off AlGaN/GaN HFETs for Power Electronics 敖金平 日本德岛大学教授, 西安电子科技大学特聘教授、 AO Jinping Professor of the University of Tokushima, Specially-Appointed Professor of Xidian University |
15:30- 15:45 | 通过高品质GaN基Si外延以实现无碳掺杂的高隔离性和高动态表现 High crystal quality GaN-on-Si to achieve excellent isolation and dynamic performance without carbon doping Burkhard SLISCHKA 德国ALLOS Semiconductors联合创始人兼总裁 Burkhard SLISCHKA Co-founder and CEO of ALLOS Semiconductors, Germany |
15:45- 16:00 | 茶歇/Coffee Break |
16:00- 16:20 | 200mm/8英寸 GaN功率器件和基于GaN的电路技术：一个对于衬底供应商、制造商和代工工厂的全新机遇 200mm/8-inch GaN power device and GaN-IC technology: a new opportunity for wafer suppliers, foundries and IDMs Denis MARCON 比利时IMEC的高级业务发展经理 Denis MARCON Sr. Business Development Manager in IMEC, Belgium |
16:20- 16:40 | 200mm 40V-650V E型GaN基Si材料功率器件技术：从器件、封装、到系统 200mm 40V-650V E-mode GaN-on-Si Power Technology: from Device, Package, Reliability to System David C. ZHOU 英诺赛科科技有限公司研发中心副总裁 David C. ZHOU VP of R&D, Innoscience |
16:40- 17:00 | GaN：启动未来 GaN, Power the Future 傅玥 加拿大GaNPower International Inc. 副总裁兼联合创始人 Fred Yue Fu Vice president and Co-founder of GaNPower International Inc., Canada |
17:00- 17:20 | 高铝组分的AlGaN/GaN异质结pH传感器 AlGaN/GaN heterostructure pH sensors with high Al composition in the barrier layer 周继禹 日本德岛大学 ZHOU Jiyu Tokushima University |
17:20- 17:40 | 下一代半导体器件外延制备前期的衬底清理技术 In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor Devices Ismail I. KASHKOUSH 美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官 Ismail I. KASHKOUSH Chief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA |
注：最终会议日程以现场实际为准。
参会报名
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张女士
M: 13681329411
E: zhangww@china-led.net
贾 先生
M: 18310277858
E: jiaxl@china-led.net
许 先生
M: 13466648667
E: xujh@china-led.net
SSLCHINA & IFWS2019
论坛总体日程安排
2019年11月25日-下午
2019年11月26日-上午
P202 功率电子器件及封装技术 (GaN和SiC)-1（6L茉莉厅）
P301 智慧照明与边缘计算-1（6L水仙厅）
2019年11月26日-中午
POSTER 交流会
2019年11月26日-下午
P201 衬底、外延及生长装备（SiC 和GaN）（5L菊花厅）
P202 功率电子器件及封装技术 (GaN和SiC)-2（6L茉莉厅）
P301 智慧照明与边缘计算-2（6L水仙厅）
P306 Aixtron - 驱动未来科技（6L郁金香厅）
P307 SiC功率半导体技术应用论坛暨新品发布会（5L玫瑰厅3）免费
2019年11月27日-上午
P404 TCS-16（5L菊花厅）
2019年11月27日-下午
交流与展示 11月25-27日
P502：2019第三代半导体技术应用创新展（CASTAS）展览 免费
部分会议免费报名，了解会议详情
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