首先在纯净的高电阻的p型硅单晶片上，长一层薄薄的二氧化硅（SiO2),它是很好的绝缘体，同时可以保护硅晶面不受其他杂质拈污。现代工艺还要在氧化硅上再沉积一层氮化硅（SiN4),这也是性能很好的绝缘体。

然后在氧化硅表面上腐蚀出两个小洞，用扩散或离子注入的办法，使小洞处的硅掺杂成n型半导体。最后在n型硅和小洞之间的氧化硅上面，蒸发或沉积金属电极，并且作出引线。这样就造出了如图所示的MOS晶体管。

从n型区接出的两个极称为源极（S)和漏极（D),氧化层上的金属极称为栅极（G)。

近来虽然更多改用多晶硅来制造栅极，但MOS的名字仍然沿用下来，没有变成SOS!

最初的光刻技术就是把印刷电路工艺搬到硅单晶片上。为了实现精确的线路和元件布置，要设计尺寸相当大的“光刻掩膜”，用照相方法缩小，最后“照”到敷在硅片表面的感光胶上。曝光之后，根据需要进行腐蚀、扩散或离子注入、氧化或者外延生长。要多次使用其他掩膜重复类似的过程。为了制成一块集成电路，往往要用很多种掩膜，重复进行“光刻”。这些掩膜必须极为精确地对准。

整个生产环境也必须十分清洁，因为一粒灰尘就可能破坏整个电路。通常在一块直径为3~12英寸（76~305毫米）的圆形硅单晶片上，要制备大量相同的集成电路。然后把硅片切割、引线、封装，制成产品。

早年集成电路的产品合格率很低，后来各个生产环节全面使用电子计算机控制，集成度即单位面积上的元件数目和产品合格率不断提高。目前一些大的集成电路生产厂家，自动化生产线上源源不断的产品可以前后彼此不同，因为只要用特定的语言把电路的设计方案描述出来，计算机就控制整个生产过程，实现相应的元件和布线，制出不同的芯片。