合肥长鑫再建2座DRAM晶圆厂

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随着中国芯片国产化进程的加快，长鑫存储技术有限公司（CXMT）公布了最新的DRAM技术路线图，不仅将采用19nm工艺生产4Gb和8Gb DDR4，预计到2020年底，其10nm 级工艺技术的产能可达到12万片晶圆，还计划再建两座DRAM 晶圆厂。

从长鑫存储DRAM技术发展的路线规划来看，其研发的产品线包括DDR4、LPDDR4X、DDR5以及 LPDDR5、GDDR6，虽然未公布具体时间节点，但产品发展线路与三星、SK海力士、美光等国际大厂DRAM发展大体一致。
全球主要的DRAM厂商三星、SK海力士、美光等目前采用的是1Znm DRAM技术。其中三星在2019年3月宣布将在下半年采用1Znm工艺技术量产8Gb DDR4，生产率提高20%以上；美光也在8月份大规模生产1Znm 16Gb DDR4产品，SK Hynix也采用第三代10nm级（1znm）工艺开发出了16Gbit DDR4。

目前长鑫存储正在使用其 10G1 技术（19 nm 工艺）来制造 4Gb 和 8Gb DDR4 存储器芯片，目标在 2020 年第一季度将其商业化并投放市场，该技术将用于在 2020下半年制造的LPDDR4X 存储器。虽然在工艺上不及国际DRAM原厂，但差距在一步一步的缩小。
长鑫存储还规划将采用10G3（17nm工艺）发展DDR4、LPDDR4X、DDR5以及 LPDDR5产品，采用10G5工艺推出DDR5、LPDDR5以及GDDR6产品，该技术是使用 HKMG 和气隙位线技术，并在未来导入使用柱状电容器、全能栅极晶体管以及极紫外光刻（EUV）工艺。

在DRAM产能方面，长鑫存储目前拥有3000多名员工，下设一座拥有 65000㎡ 洁净室的晶圆厂，目前月产能约为2万片晶圆，将利用10G1技术将月产能提高到4万片晶圆，规划到2020年底，其10nm级工艺技术的晶圆产能将达12 万片（12 英寸），可媲美SK 海力士在中国无锡的工厂。长鑫存储还计划再建两座DRAM晶圆厂。

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转自：芯通社
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