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日前,英国Micro LED公司Plessey发布新闻稿称,宣布开发出世界上首个硅基InGaN红光LED。
尽管InGaN基蓝光和绿光LED都已商用量产,但红光LED通常基于AlInGaP材料或颜色转换的红光。对于AR应用来说,由于AlInGaP材料的严重边缘效应和颜色转换过程造成的腔损耗,实现高效超小间距红色像素(<5μm)仍然遥不可及。
图片来源:Plessey
与现有的基于AlInGaP的红光相比,基于InGaN的红光具有更低的制造成本、可扩展至更大的200mm或300mm晶圆以及更好的热/冷系数,因此具有极大的吸引力。
图片来源:Plessey
Plessey外延和高级产品开发总监Wei Sin Tan表示:“这是一个令人振奋的结果,因为它为低成本制造超小间距和高效的Red InGaN像素提供了一条途径,将加速Micro LED在AR微型显示器和移动/大型显示器应用中的采用。”
Source:LEDinside
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