现代移动通信技术、宽带互联网技术、无线互联网技术的飞速发展，世界进入全新的“信息时代”，信息内容日益丰富多彩，作为信息产业的重要构成部分—显示技术在信息技术的发展过程中一直起着十分重要的作用。
随着各式各样的显示器件进入我们大众生活和工作等各项领域中，那么从过去到现在显示技术又经历了几代发展呢？现在有人习惯将显示目前分为四代：CRT（玻璃显像管显示器）作为第一代显示技术，PDP、LCD作为第二代，OLED作为第三代，那第四代会是什么技术呢?由于OLED目前的可靠性与使用寿命有一定缺陷，新一代无机主动发光技术使得Mini LED与Micro LED应运而生。依照业内普遍共识，点间距在2.5mm以下的LED显示器即可定义为小间距。Micro LED则要求间距小于0.01mm，且晶片尺吋小于0.05mm，而Mini LED的间距要求与晶片尺吋则介于小间距LED与Micro LED之间。
资料来源：LED inside
资料来自yole调查
小尺寸LED主要应用于户外广告，LED屏，特殊背光等，Mini LED主要应用于精细LED屏幕，电影院，游戏显示设备背光等，未来Micro LED实现um级超小尺寸，可以真正实现高分辨率主动显示，可以用在可穿戴式设备，AR/VR, 手机等显示终端。
作为一种新兴的显示技术，Micro LED与OLED比较类似，但它比OLED屏幕寿命更长，同时响应速度可以达到奈秒级别，比OLED更快。不仅如此，Micro LED还具有高亮度、低耗电、超高分辨率等诸多优势，综合来看比OLED更具优势。
Micro LED驱动方式采用TFT电流驱动，与OLED驱动没有太大不同，把阵列中每一列的LED像素的阳极(P-electrode)连接到列扫描线(Data Current Source)，同时把每一行的LED像素的阴极(N-electrode)连接到行扫描线(Scan Line)。当某一特定的第Y列扫描线和第X行扫描线被选通的时候，其交叉点(X，Y)的LED像素即会被点亮。整个屏幕以这种方式进行高速逐点扫描即可实现显示画面。Micro LED是LED产业的延伸，在LED晶片制造环节与传统技术具备相似性，同样需要外延片、RGB 三色晶粒与组装。Micro LED 虽然前段制程与面板、IC 电路相似，但多了一项巨量转移制程。而目前Micro LED量产最大难关就是在此环节上。因为Micro LED基板主要是电流驱动的TFT结构，而将数以万计的LED晶片转移至TFT基板上（巨量转移过程），就是目前各厂所面临的良率及效率的严峻考验。
图片来源 罗姆半导体社区
LED外延晶片与显示驱动工艺不兼容，且需考虑大尺寸显示的问题，所以针对MicroLED需要开放合适的背板技术。如何将“巨量”的三色微小LED转移到制作好驱动电路的基底上去，即“巨量转移”技术，也是决定MicroLED能否商业的关键。MiniLED作为一种过渡方案，还没有大范围的应用，目前大陆还没有量产，台湾也只有很少部分应用，主要在于电竞显示器或者专业设计显示器的背光local dimming（直下式背光应用还不需要完全应用到mini LED, 小间距比如P0.8-P2.5）, 而对于LED显示屏应用，目前成本和应用受限，室内室外的应用都较少，可能潜在的应用为影院，演播厅等，数量不大。未来可能发展顺序为：电竞笔记本/显示器 > 显示屏 > 手机、电视 > 车用。 未来micro LED是否会超越OLED，目前还存在巨量转移等工艺问题等待解决，虽然不是很明确，但是由于存在高可靠性，长寿命，高对比度等优点，业内寄予厚望，包括苹果, sony在内的大公司也在积极布局这块的技术，让我们一起期待最新一代的显示技术盛宴吧.
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