【PPT】硅纳米线场效应晶体管(Si nanowire FET)

编者按纳米线(silicon nanowires,SiNWs)作为一维纳米材料的典型代表,除具有半导体所具有的特殊性质,还显示出不同于体材料的场发射、热导率及可见光致发光等物理性质,在纳米电子器件光电器件以及新能源等方面具有巨大的潜在应用价值。纳米线晶体管(SNWT)与传统CMOS工艺兼容性良好,能够有效抑制短沟效应,并可以实现三维集成,因此,被认为是最具有潜力应用在未来10nm以下沟长的集成电路器件结构之一。


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转自:東京工業大学
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