1、芯长征微电子制造项目正式投产

2019/12/13-近日，位于山东省荣成市经开区科技创业园内的芯长征微电子制造项目正式投产，该项目是今年山东省重大科技项目和荣成市级重点项目。据了解，该项目从4月份签约落地以来，荣成经济开发区积极提供支持，确保了项目按期顺利投产。此外，该项目的落户投产对于加快开发区新旧动能转换、电子信息技术产业发展将起到积极的助推作用。

芯长征微电子制造项目专注于功率半导体器件封装的制造，核心业务涵盖IGBT模块设计、封装、测试代工等方面。技术团队由中科院技术专家和电机电控领域专业技术人才共同组成，核心成员均拥有10年以上产品封装经验。项目可实现从芯片封装、测试到应用开发全链条贯通，封装工艺和产品可靠性方面较国内其他厂家有更强的竞争力，产品覆盖消费领域、工业领域和汽车领域。

2、绍兴两岸集成电路产业园半导体项目规划

据悉，绍兴两岸集成电路创新产业园项目由上海中天传祺基业有限公司牵头组织实施，计划总投资不低于600亿元人民币，将建设8英寸和12英寸晶圆制造基地，同时导入200家上下游集成电路相关企业和台湾科学园区管理团队。首批入园的龙头项目为8英寸晶圆制造厂及汽车电子暨物联网芯片产业园区，计划总投资100亿元，未来将打造研发设计、电子研究院、交易中心、智造平台、众创空间、企业孵化、人才培育七大功能平台。

近年来，绍兴市大力发展集成电路产业，中芯绍兴、长电科技等一批晶圆制造、封装、测试头部企业相继落户，集成电路产业平台入选首批省级“万亩千亿”新产业平台培育名单，“绍兴集成电路产业创新中心”成功纳入《长三角区域一体化发展规划纲要》。

11月25日，位于越城区皋埠街道的中芯集成电路制造(绍兴)有限公司内，全省首片8英寸晶圆顺利下线。据悉，由该晶圆加工而成的芯片，将广泛应用于人工智能、新能源汽车、工业控制和移动通信等领域。项目一期总投资58.8亿元，年产8英寸特色工艺集成电路晶圆51万片。

3、苏州工业园MEMS中试量产平台运行良好

日前，苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司传出消息，其公司负责的MEMS中试量产平台（以下简称“平台”）目前运行良好，已服务客户60余家、产品180余颗，2019年预计出货超过20000片6寸片，年出货量在全国代工线中名列前茅。

MEMS制造环节门槛高、技术含量高，是制约中国MEMS产业发展的瓶颈，也是从实验室到可销售产品的最核心的支撑环节。为构建“研发——中试——规模生产”完整的MEMS产业链链，加快MEMS企业创新和规模化成长过程，2013年，苏州纳米科技发展有限公司（苏州工业园区国资办下属国资公司，以下简称纳米公司）代表苏州工业园区管委会，策划筹建了苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司MEMS中试量产平台（以下简称“平台”）。

平台得到了工信部等各级政府支持，以支撑苏州工业园区及中国MEMS产业发展为主要使命，完全按照代工模式建立，服务于各类企业、科研院所、研发机构、创业团队，提供研发支持、代工服务，全开放、市场化运营，从根本上解决MEMS设计企业产品化的难题。

平台2014年首颗产品通线，2017年真正实现量产，经过多年的努力，形成了一支完整的高水平技术团队，积累了国内种类最多的MEMS产品量产经验，申请了60多项发明专利，已成为国内工艺种类最全、部分工艺能力最强的MEMS代工线。另外，平台已与日本爱发科签署战略合作协议，共同开发下一代MEMS关键技术——PZT压电薄膜MEMS传感器，明年年初将成为国内首个可量产PZT MEMS器件的产线，为国内企业抢抓下一代MEMS产品先机提供了坚实的基础。在此基础上，平台正计划建设8英寸线，更好地支撑国内MEMS产业发展。

4、熔城半导体芯片系统封装和模组制造基地在浙江德清开工

12月6日，德清县重大项目集中开竣工活动暨熔城半导体芯片系统封装和模组制造基地项目举行开工仪式。

“德清身处长三角腹地，集聚着丰富的人才和资源优势。在项目选址接洽中，我们充分感受到了德清一流的投资环境、开门迎商的胸怀和为企业解决实际问题的诚意。”浙江熔城半导体有限公司董事长付伟说，“我们将全力以赴，把项目建设成为世界级先进半导体企业，使德清成为我国技术最先进、单一体量最大的集成电路先进封装和模组智能制造基地。预计首条工业量产线将在2021年8月投入商用。”

据悉，熔城半导体项目总投资57.8亿元，设计年产能190亿块芯片模组，达产后将实现产值100亿元，税收10亿元。该项目是我县抢抓芯片产业发展国家战略的重大突破，项目将建设世界首家2微米载板封装制造中心，实现5G通讯、汽车电子等领域高端进口芯片及微集模组的国产化，具有很强的科技含量和市场前景，将为我县信息产业从信息收集、处理、应用、服务向高端装备制造延链补链强链提供重要支撑。

5、济南富能半导体高功率芯片项目成功封顶

12月4日，山东省委常委、济南市委书记王忠林宣布济南富能半导体高功率芯片项目成功封顶。

富能半导体高功率芯片项目由济南产业发展投资集团、高新控股集团、富杰基金及富能技术团队共同参与实施，被列入2019年省、市重点项目。

项目规划建设月产十万片的两个八吋厂及一个月产五万片的十二吋厂，一期占地318亩，投资额60亿元，主要建设月产三万片的八吋硅基功率器件和月产一千片的六吋碳化硅功率器件的产能，产品覆盖消费、工业、电网以及新能源车的应用。项目计划2020年底实现量产，2022年满产后将实现年销售收入超过20亿元、利润7亿元。

富能半导体团队来自国际一流大厂的研发主力，在硅基的功率器件上所掌握的产品技术和国际一流大厂同级，将根据不同系统的需求推出合适的MOSFETSuperJunction和IGBT等产品。

未来五年，富能将从高端硅和碳化硅等芯片产品切入市场，有效实现进口替代，五年后年营业额达100亿人民币，力争在10年内达到国际一流半导体生产企业水平。

6、赣州名冠微功率芯片项目签约

11月底，赣州经开区举行名冠微电子(赣州)有限公司功率芯片项目签约仪式，与名芯有限公司(香港)、电子科技大学广东电子信息工程研究院正式签订功率芯片项目投资合同。

签约仪式上，电子科技大学广东电子信息工程研究院院长陈雷霆介绍了电子科技大学并重点介绍了广东电子信息工程研究院的办学定位、办学特点和技术优势，表示该研究院将为项目发展提供有力的技术支撑，将持续推动科学技术产业化，把握发展机遇，积极主动作为，助力实现高质量跨越式发展。

据了解，名冠微电子(赣州)有限公司功率芯片项目由名芯有限公司(香港)、经开区管委会、电子科技大学广东电子信息工程研究院共同投资，项目总投资约200亿元，用地550亩，分两期建设：项目一期建设一条8英寸0.09-0.11μm功率晶圆生产线，投资约65亿元(其中进口晶圆制造设备约36亿元、厂房约15亿元)，目标产能8万片/月，目标年产值40亿元；项目二期规划建设第三代6/8英寸晶圆制造生产线或12英寸硅基晶圆制造生产线，投资约140亿元，项目整体达产达标后年产值过百亿元。项目涉及产品类型包括IGBT、功率MOS、功率IC、电源管理芯片等，覆盖全球功率器件领域全部类别中80%品种。项目建成后，将填补全省8英寸功率半导体晶圆生产线空白，也是赣州市首个总投资超200亿元的电子信息产业项目。

7、逾10亿碳化硅半导体材料项目落户杭州湾

逾10亿碳化硅半导体材料项目落户杭州湾
文章来源：粉体圈（www.360powder.com）——粉体行业人员的生意和生活圈子！

据宁波日报，12月12日，宁波杭州湾新区与华大半导体有限公司完成宽禁带半导体材料项目签约，项目总投资10.5亿元。据悉，该项目是浙江首个第三代半导体材料项目，计划年产8万片4-6英寸碳化硅衬底及外延片、碳化硅基氮化镓外延片，产品可广泛应用于5G通讯、新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。

华大半导体有限公司是中国电子信息产业集团有限公司（CEC）整合旗下集成电路企业而组建的专业子集团。今年5月底消息，华大半导体增资上海积塔半导体特色工艺生产线项目，该项目项目目标是建设月产能6万片的8英寸生产线和5万片12英寸特色工艺生产线，将在国内首家实现65nm 12英寸BCD工艺，建成国内唯一的汽车级IGBT专业产线和国内首家实现6英寸碳化硅量产线。

8、格兰仕选址佛山顺德建设IoT芯片基地

12月15日，佛山市顺德区人民政府与恒基（中国）投资公司、格兰仕集团正式签订合作协议，三方将共同在顺德打造开源芯片基地。此举因应这条新闻：今年9月28日，在格兰仕“超越制造”主题大会上，恒基集团与格兰仕达成战略合作，正式发布物联网家电芯片。

9、广西天微电子成功举行签约仪式

近日，广西贺州投资集团公司与广西天微电子有限公司举行《投资合作协议》签约仪式。据了解，广西天微芯片项目总投资5亿元，分二期完成：一期计划投资1亿元，预计2019月7月到2019年12月完成装修建设，223台(套)设备到位并投入使用，预计2019年12月中旬正式投产；仅五个月时间完成了一期建设。

10、三安环宇被注销，转而投资常州新晶宇

据台湾媒体报道，环宇董事会决议清算注销与厦门市三安集成合资成立的厦门三安环宇，转而与晶品光电（常州）共同合资成立常州新晶宇光电，并建置6寸晶圆厂，环宇将投资约新台币4.76亿元。依据环宇信息，新厂将以环宇制程技术为基础，开发化合物半导体无线射频 6寸晶圆代工以及光电6寸晶圆代工等业务。迄今三安环宇一直未有营收。

11、国基南方集成电路项目正式启动

12月16日，中电国基南方集团射频集成电路产业化项目在江宁开发区正式启动，将打造涵盖一、二、三代半导体的射频集成电路产业地标，推动实现射频集成电路核心芯片自主可控。

国基南方射频集成电路产业化项目，主要面向新一代信息基础设施建设，布局射频集成电路设计、制造、封测等全产业链关键环节，建设化合物半导体制造线。项目建成后将形成年产化合物半导体圆片6万片、射频集成电路5亿只、射频模块1000万只的设计制造能力，满足5G及未来移动通信基站和终端市场需求。在园区内，聚集了中电55所、钜泉光电芯片研发中心等科研单位。

12、中德第三代半导体材料联合研究院落地西安

12月16日，西安西咸新区泾河新城外资招商项目集中签约仪式举行，中德第三代半导体材料项目在列。据悉该项目是由留德人员发起，联合欧盟第三代半导体实验室和西北工业大学理学院、南京大学微电子学院、西安电子科技大学等国内外研究机构和知名专家，研发团队的技术水平为国际领先，可以稳定产出4英寸和6英寸SiC单晶圆，未来该技术发展方向是：推出可批量生产大尺寸SiC单晶的成熟技术及推广其他前沿科技。该成果可广泛应用于新能源车、太阳能风能、电力电子、高铁、电源、雷达、5G通信、航空航天、机器人等高精尖领域。

13、湖北鄂州决心于2021年建成三安光电Micro-LED项目

12月16日，三安光电项目第二次指挥长会议召开，会上鄂州市政府官方表决心，要求项目于2021年元月如期建成。要全力以赴加快拆迁供地，力争今年春节前完成项目二期用地范围内剩余征迁工作。据悉，该项目是今年4月24日发起，由葛店开发区与LED芯片龙头企业三安光电股份有限公司正式签约，在葛店投资建设全球首条Mini/Micro LED外延与芯片生产线，项目投资总额120亿元，于7月29日正式开工。

三安光电Mini/Micro LED芯片项目，将建成Mini/Micro LED氮化镓芯片、Mini/Micro LED砷化镓芯片、4K显示屏用封装三大产品系列的研发生产基地，预计将形成年产Mini LED芯片210万片、Micro LED芯片26万片、4K显示屏用封装产品84000台的研发制造能力。

14、艾锐光芯片封测项目落户日照

12月18日，日照经济技术开发区与日照市艾锐光电科技有限公司签署合作协议，光芯片封装测试项目落户开发区。项目总投资7000万元，拟于2020年投产。

日照市艾锐光电科技有限公司拥有一流的芯片及组件研发团队，运用独特的DML光芯片技术和高速封装及模块设计，研发销售半导体激发器芯片，其设计的光模块等产品已通过中兴通讯验证。据介绍，作为日照市第一个自主研发的通讯类的芯片项目，在5G市场的推动下，项目达产后将成为国内“中国芯”生产领域的一支劲军。

15、武汉弘芯光刻机设备Move-in

12月22日，武汉弘芯半导体举行了首台高端光刻机设备进厂仪式。这意味着，FAB厂最昂贵、最能体现该厂工艺级别的设备已到位。
据悉，原先该公司规划10nm及以下线宽的工艺，现在改向研发14nm工艺，产品是逻辑器件以及射频器件；原计划年底投产的计划推延到明年Q3；月产能规划不变是4.5万片。
建设进度方面，此前因工程总包武汉火炬建设集团与其分包商内部结算出现纠纷而致使土地查封事宜，现已解决。

16、山东有研8寸Si片项目封顶，12寸项目再签约

12月23日，德州市政府与有研科技集团有限公司、株式会社RS Technologies、德州汇达半导体股权投资基金合伙企业共同签约12英寸集成电路用大硅片产业化项目。这是山东德州与有研集团又一重点合作项目。建设目标为年产360万片12英寸硅片，预计投资额62亿元人民币。12英寸硅片主要面向5G通讯、人工智能、大数据、物联网等领域高端芯片应用市场。

此外，8寸硅片项目自今年6月份启动主体施工今日封顶，不到半年建设时间堪称飞速。项目投资18亿元，总建筑面积约10万平方米，新建单晶厂房1栋、硅片加工厂房1栋、综合动力站1栋及仓库、气站等；形成年产276万片8英寸硅片、180万片6英寸硅片以及300吨12-18英寸硅单晶的生产能力。

17、中国电科(山西)SiC材料项目在建

投资50亿元，建设用地约1000亩的中国电科(山西)电子信息科技创新产业园即将在山西转型综改示范区投产。计划用5年时间，建成“一中心三基地”，即：中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科(山西)三代半导体技术创新中心、中国电科(山西)光伏新能源产业基地。项目达产后，预计形成产值100亿元。
自2007年以来，中国电科2所便着手布局碳化硅单晶衬底材料的研制规划，依靠自身在电子专用设备研发领域的技术优势，潜心研制碳化硅单晶生长炉。迄今已掌握高纯碳化硅粉料制备工艺、4英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，形成了从碳化硅粉料制备、晶体生长、晶片加工、外延验证等整套碳化硅材料研制线，在国内最早实现了高纯碳化硅材料、高纯半绝缘晶片量产。

18、北京耐威收购Silex并联合大基金共建8寸MEMS产线

12/25，北京耐威科技股份有限与国家集成电路产业基金共同投资的赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司“8 英寸 MEMS 国际代工线建设项目首台设备搬入仪式”在北京亦庄经开区举行。赛莱克斯 MEMS 项目是经开区的重要项目之一，建成的8 英寸 MEMS 芯片生产线，达产后将形成年投片 3 万片/月的生产能力。

据瑞典Silex董事聂铁轮表示，北京 8 英寸 MEMS 国际代工线与瑞典 Silex 的配置、原材料和工艺等一一对应，确保工艺流程及产品生产的一致性。

据了解，瑞典 Silex 掌握了硅通孔、晶圆键合、深反应离子刻蚀等多项在业内具备国际领先竞争力的工艺技术和工艺模块，拥有目前业界最先进的硅通孔绝缘层工艺平台（TSI），已有超过 10 年的量产历史、生产过超过数十万片晶圆、100 多种不同的产品，技术可以推广移植到 2.5D 和 3D 圆片级先进封装平台，为全球知名或某些领域领先厂商提供过 400 余项 MEMS 芯片的工艺开发服务。

19、积塔特色工艺产线主设备正式搬入临港新片区

12月28日，积塔半导体特色工艺生产线首台光刻设备搬入仪式在上海自由贸易试验区临港新片区积塔半导体厂区举行。厂房占地面积23万平方米，项目总投资359亿元，目标是建设月产能6万片的8寸生产线和5万片12寸特色工艺生产线。产品重点面向工控、汽车、电力、能源等领域，将显著提升中国功率器件（IGBT）、电源管理、传感器等芯片的核心竞争力和规模化生产能力。积塔项目将面向模拟与功率领域。

20、江苏爱矽半导体封测项目正式投产

江苏爱矽半导体科技有限公司于2018年4月在徐州经开区凤凰大道签约落户，8月开始试机，11月开始试产，到12月末实现全线投产该封测项目。

据悉，该项目总投资5亿元，集制造中心、品质管理中心、销售中心等于一体，购置全自动研磨机、全自动晶圆划片机、检测系统、全自动塑封机等关键设备，设置5条方形扁平无引脚封装（QFN型）生产线，年设计生产能力36亿件。

21、盛美半导体上海临港研发及生产中心项目正式启动

盛美集团宣布盛美半导体上海临港研发及生产中心项目正式启动。盛美在临港新片区成立了全资子公司盛帷半导体设备（上海）有限公司，将盛帷建设成盛美全球主要研发及生产基地。作为盛美全球化发展的重要环节，临港项目已被纳入盛美全球化发展的整体布局中。

过去十多年来，盛美为集成电路制造业提供先进的晶圆清洗和湿法加工设备，形成了以清洗机、电镀机和先进封装湿法设备为主的产品线，包括自主研发的清洗机SAPS（解决兆声波在硅片表面的均匀性）与TEBO（解决兆声波在图形硅片上的破坏问题）。2019年盛美与国内合作伙伴共同研发的单片槽式组合清洗机Tahoe设备面向国际市场、并获得主流晶圆厂初步验证，有望在未来几年解决困扰集成电路制造多年的硫酸用量大和处理难的全球半导体芯片产业性难题。盛美首台前道铜互连电镀机也于2019年成功进入前道大马士革工艺客户端，先进封装电镀机也已出货多台到国内客户端。

未来，盛美将加快产品迭代速度，研发更先进工艺设备。一方面在临港投入本土研发资源，另一方面建设先进的制造基地；无论是研发还是制造，公司都将朝着建设综合性集成电路装备集团的方向努力。

22、中芯长电半导体江阴公司二期运营启动

12月30日，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司的12英寸生产车间内，顺利完成了第一枚12英寸半导体硅抛光片的下线。
据报道，中欣晶圆大硅片项目在2018年2月开工，历时22个月，从8英寸大硅片的量产和项目竣工到首枚12英寸半导体硅抛光片下线，标志着该司正式成为拥有成熟技术的国内大规模大尺寸半导体硅片生产基地。
中欣硅项目基地可实现8英寸半导体硅片年产420万枚、12英寸半导体硅片年产240万枚，将改变国内半导体大硅片完全依赖国外的现状。

23、杭州中欣晶圆12英寸半导体硅片正式下线

12月30日上午9:30，中芯长电半导体（江阴）有限公司首席执行官崔东宣布二期J2A净化车间按计划建成，交付使用，首台设备顺利进驻，二期项目正式进入运营阶段。公司管理团队和参与二期运营的全体同仁参加了庆祝活动。
该司资深副总裁李建文表示，首台Bumping设备正式进驻净化间。厂房按时交接和设备mobe in取决于厂房进度、净化间条件、设备采购、运输通关等各个方面，缺一不可，充分展现了公司整体高效的执行力。
崔东表示，二期运营启动，一方面实现公司业务规模的扩大，提供客户更大的加工产能；另一方面实现业务内涵的拓展，满足正在蓬勃发展的5G、AI、IOT、汽车电子等市场领域硅片级先进封装的需求，还将帮助公司推进持续创新，实现研发项目的全面提速，全力向3DIC硅片级系统集成加工这一产业高地发起冲击。

24、天和通讯（徐州）第三代半导体产业基地开工

天和通讯（徐州）第三代半导体产业基地项目宣布开工，总投资60亿元、建筑面积42万平米，全部达产后，大功率 LED 芯片规模将达到全球第二位。该项目由西安天和通讯科技有限公司旗下众拓光电科技有限公司建设。

众拓光电是一家拥有国际领先技术的硅基第三代半导体材料及器件的研发、生产与销售的高新技术企业，也是全球首家高性能硅基超结构大功率 LED 芯片和基于单晶氮化铝的高性能低损耗 FBAR 滤波器（面向5G应用）的制造商。后者已进入华为、中兴、创维等一流企业的供应链体系。

25、浙江芯展于平湖市构建IDM半导体产业生态圈

近日，浙江芯展半导体股份有限公司“晶圆制造、封装测试”项目入驻仪式在张江长三角科技城平湖园举行。据了解，上海芯展投资管理有限公司拟在浙江省平湖市投资“晶圆制造，封装测试”项目，计划总投资30亿元，注册资金8.3亿元，按照总体规划，该项目将分期实施。

其中一期项目计划总投资11.8亿元，注册资金3.5亿元。预计2020年投产，达产后可以年产48万片晶圆，集成电路与功率器件封装测试产品40亿颗。预计年销售约10亿元人民币，年税收约1亿元。第二期项目计划总投资18.2亿元，注册资金4.8亿元，预计在第一期建成后三年内启动，投产次年起年销售额14亿元人民币，年税收1.5亿元以上。

据报道，该项目将建设成为集“芯片设计-晶圆制造-封装测试-产品销售”为一体的全产业链生态圈，涵盖了集成电路制造行业上中下游领域，将成为国内目前为数不多的以IDM为发展模式的综合型半导体产品公司。

26、武汉新芯二期项目确保年内投产量产

2020年1月7日，武汉市政报告指出今年武汉将围绕产业升级，加快实施一批“芯屏端网”重大项目，推动光谷生物创新园二期、汉江湾科创总部基地、阿里巴巴武汉产业社区等265个投资亿元以上产业项目开工。此外，针对半导体存储器领域重大项目还发表了政府工作报告——“2020年重点工作任务”其中提到今年将确保武汉新芯二期等项目投产量产。

武汉新芯在2018年8月28日于武汉东湖高新区召的开二期扩产项目推进会上表示，实施二期扩产项目主要是为了抢抓物联网和5G应用为半导体领域带来的重要机遇。该扩产项目总投资17.8亿美元，将建设自主代码型闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台，相当于再造一个武汉新芯。

* 武汉新芯成立于2006年，2008年建成投产并成为华中首条12英寸IC产线。2016年，在武汉新芯的基础上，紫光集团、大基金、湖北集成电路产业投资基金、以及湖北省科投共同出资成立了长江存储，武汉新芯成为长江存储的全资子公司。

27、宜兴中环杨杰项目的进度跟踪

股民Q：请问公司在宜兴与中环股份合资公司项目一期是否已经投产？8寸线何时动工？碳化硅芯片生产线进展的如何？

董秘A：1、目前无锡中环扬杰项目（中环持股60%）的双方资金均已到位，项目稳步推进中。2、公司正在学习和规划8寸晶圆线，储备8寸晶圆技术人才。3、公司目前在外进行碳化硅芯片流片，可批量供应650V、1200V 碳化硅JBS器件，并在积极研发碳化硅MOSFET器件。

28、长电科技绍兴项目开工

1月9日上午，长电集成电路（绍兴）公司先进封装项目在越城区皋埠街道正式开工。这是绍兴集成电路“万亩千亿”平台最重要的产业项目之一。该项目总投资80亿元，致力打造国内最先进的封装测试基地，必将为绍兴市打造杭州湾南翼先进制造高地、构建现代产业体系注入强劲动力。

长电绍兴项目将以集成电路晶圆级先进制造技术的应用为目标，为芯片设计和制造提供晶圆级先进封装产品。项目一期规划总面积230亩，建成后可形成12英寸晶圆级先进封装48万片的年产能。二期规划总面积150亩，以高端封装产品为研发和建设方向，打造国际一流水平的先进封装生产线。