当下手机市场中，UFS 3.0存储规范已经被旗舰机型普遍采用，拥有高达2.9GB/s的理论传输速度，手机用户可以更加轻松地进行4K@60fps甚至8K视频的拍摄录制。1月30日，JEDEC正式发布了UFS 3.1标准，在UFS 3.0的基础上提供了写入增强器(Write Booster)、深度睡眠(Deep Sleep)和性能调整通知(Performance Throttling Notification)三大特性。

写入增强器（Write Booster）

在符合UFS 3.1标准的设备上引入一个SLC非易失性缓存，从而进一步提高写入速度。许多SSD产品中已经使用了类似的技术。

深度睡眠（Deep Sleep）

UFS 3.0标准上就已经在功耗方面做了优化，这次UFS 3.1则推出了“深度睡眠”这一新的低功耗状态。

性能调整通知（Performance Throttling Notification）

该功能可在UFS 3.1设备因为高温情况导致存储性能受到影响时，及时通知主机有关性能限制的信息。

除了以上三个特性之外，主机性能提升器（Host Performance Booster）也值得关注，在系统的DRAM中缓存UFS设备逻辑到物理（LTP）地址映射，以提高性能。

慧荣科技作为全球最大的NAND闪存主控芯片供货商，同时也是SSD主控芯片的市场领导者，先于CFMS 2019峰会上展出了基于UFS 3.1标准的SM2754主控芯片，并对其出色性能进行了演示。

SM2754控制器解决方案符合JEDEC最新UFS 3.1标准，支持双通道HS-Gear-4标准、SCSI体系结构模型(SAM)和UniPro 1.8标准，可实现高性能存储访问、更高的能效和更简易的系统设计门槛。

SM2754 集成了专有固件和控制器技术，采用了更优秀的算法，从而提高随机持续读取和写入性能。顺序读取速度可达2,000 MB/s，顺序写入速度在Write Booster的支持下可达1000 MB/s以上。并且在写入增强器(Write Booster)和主机性能提升器(Host Performance Booster)两大特点和不断优化的固件方案的加持下，读写性能还将进一步提高。超高的读写速度，将会带给移动设备在5G网络时代更出色的性能，更高的数据吞吐量也将带来手机应用的下一代革命。

数据安全性方面，慧荣科技在SM2754解决方案中具备SRAM软错误之侦测与纠正，可防止发生软错误事件，并且提高数据的可靠性。此外还采用了慧荣科技自主研发的MIPI M-PHY及独创的高可靠低功耗LDPC算法，多方面提高安全性，为移动设备数据保驾护航。

5G网络的趋势日渐明显，高速网络的驱动下，手机存储速度和容量的提升已经成为手机厂商“军备竞赛”中重要的一环。尽管MWC 2020由于不可抗因素取消，但在即将发布的手机中，已经看到了UFS 3.1相关信息爆出。可以预见，在竞争越加激烈的手机市场中，高速的5G网络搭配上高速的UFS 3.1标准存储产品，将会成为2020年旗舰手机的标准配置。