目前，Soitec在全球拥有超过3500项现行专利，研发人员占比12.5%，研发投资达到年收入12%。

Soitec的研究工作包括SiC和InGaNOS等复合材料的新开发，从而带来高附加值以满足市场需求。

随着电动汽车的发展，SiC功率器件市场持续增长。碳化硅的总体有效市场（TAM）预计将达每年数百万个晶圆片（200-mm晶圆片）。 SiC拥有广泛的应用领域，例如电动汽车的车载充电装置，以及在电力电子设备中实现功率转换和控制等。然而，SiC的大规模应用一直受到供应量、良率及成本等因素的限制。

在2019年11月，Soitec宣布与应用材料公司启动联合项目，展开对新一代碳化硅衬底的研发。Soitec将应用其专利技术Smart Cut™，目前该技术广泛应用于SOI产品生产，保障芯片制造商材料供应。而应用材料公司将在制程技术与生产设备方面提供支持。在此次研发项目中，两家公司将在CEA-Leti的衬底创新中心中增添一条碳化硅优化衬底实验生产线。此条生产线预计于2020年上半年开始运行，目标为在2020年下半年使用Soitec的Smart Cut™技术生产碳化硅晶圆片样品。

InGaNOS是一种创新型松弛InGaN优化衬底，适用于红绿蓝（RGB）μLED应用。一个像素由三个LED（红色、绿色和蓝色）组成。而到目前为止，仅绿色和蓝色LED可以构建在同一衬底上，且绿色LED在其中表现效率较低，红色LED则需要特殊的材料完成构建。

在微米尺度上，InGaNOS比磷化物具有更高的红色效率，将被广泛用于车载显示器。 据Yole 2017年预测，InGaNOS 的总体有效市场在2024财年将超400万晶圆片（150-mm晶圆片）。Soitec将进一步致力于InGaNOS的研发，以实现批量生产。

以设计和交付创新型衬底与解决方案，赋能客户产品，缔造美好生活为使命，Soitec持续专注于研发，不断丰富其第三代化合物半导体产品线。通过为行业提供创新的科技与产品解决方案，Soitec立志推动全球产业共同前行。