GaN崭露头角,应用爆发期有望提前到来
摩尔芯闻
3天前
来源:内容来自「
巨丰财经
」,谢谢。
小米10近期成功发布,其中
氮化镓
充电器
,打开了氮化镓作为
功率
器件
衬底
材料
的应用先河,
氮化镓
具有的禁
带宽
度大、热导率高、耐高温等多种优点将逐渐进入功率
器件
相关
产业
,应用处于快速增长期,今天我们就重点来看一看。
氮化镓
是什么?
GaN
是一种新型
半导体材料
,和 SiC 同属于第三代高大禁
带宽
度的半导体
材料
,和第一代的 Si 以及第二代的
GaAs
等相比,其在特性上优势突出。
它具有禁
带宽
度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,在早期广泛运用于新
能源
汽车、轨道
交通
、智能电网、半导体照明、新一代移动通信。
近年来,随着技术进步和
市场
需求扩大逐渐将
GaN
导入了快充充电领域,常见于
USB
PD 快充等中高端
产品
,在输入电压为 100 V 或更低的应用中。
▲
氮化镓器件
分类及应用领域
应用领域拓展空间大规模增长速度高
由于
GaN
各方面的特性,使得 GaN 在
射频
器件
、
功率
器件
等领域都表现出其强劲的渗透能力。
射频
领域
氮化镓
的频率特性好、瞬时
带宽
更高、速度更快、可以实现更高的
功率密度
。
对于既定功率水平,
GaN
具有体积小的优势。
有了更小的
器件
,就可以减小器件
电容
,从而使得较高
带宽
系统的
设计
变得更加轻松。
射频
电路中的一个关键组成是 PA(
功率
放大器
)。
从目前的应用上看,
功率
放大器
主要由
砷化镓
功率
放大器
和
互补式金属氧化物半导体
功率
放大器
(
CMOS
PA)组成,其中又以
GaAs
PA 为主流,但随着
5G
的到来,
砷化镓
器件
将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。
▲
GaN
射频
器件
市场发展
功率
器件
GaN
也广泛应用于
功率器件
市场。
GaN
主要应用于低压环境中的
功率器件
,高压环境主要使用 SiC
材料
,600-900V 为两者的竞争市场。
相比 SiC,
GaN
在成本方面表现出更强的潜力,且 GaN
器件
是个平面器件,与现有的 Si 半导体
工艺
兼容性
强,这使其更容易与其他
半导体器件
集成。
▲
GaN
和和 SiC 对应用电压范围的市场细分
▲
功率器件
低压占比高未来渗透空间大
根据 2017 年
功率器件
的市场结构情况,低压功率
器件
市场占比高达 68%,高压功率期间市场占比低,因此
GaN
的低压功率
器件
市场空间
大。
▲
GaN
功率器件
应用领域及市场空间
目前,
GaN
功率器件
的
市场份额
在各应用领域占比比较平衡,
电源
供给
方面的
器件
增长最快,预计到 2022 年会占有一半以上份额。
2019-2022 年整个
电源
市场的复合增长率高达 91%。
功率器件
2017-2023年市场增速高
GaN
功率器件
处于技术研发向商用推广的发展期,过去几年不断有厂商发布
GaN
产品,按照Yole 对 GaN 功率
器件
市场的预测分为稳定增长型(#1)和爆发式增长型(#2)两种,其中爆发式增长模型预计在 2023 年市场空间达到 4.3 亿美元。
▲
氮化硅
功率器件
高速增长模型
根据 Yole 的统计及预测,2017 年全球
GaN
功率器件
的市场空间约为 1000 万美金,预计到 2023 年,
GaN
功率
器件
的市场空间可以达到 4.3 亿美元,对应 2017-2023 年复合增速达到约约 87%。
小米推出
氮化镓
充电器
激发消费领域市场需求产业链受益
目前,
GaN
应用最广泛的是
充电器
。
采用了
GaN
元件的
充电器
体积小、重量轻,在发热量、效率转换上相比普通充电器也有更大的优势,大大的提升了消费者的使用体验。
GaN
技术是全球最快的功率开关
器件
,并且可以在高速开关的情况下仍保持高效率水平,能够应用于更小的元件,应用于
充电器
时可以有效缩小产品尺寸。
消费电子领域,全球首家采用
GaN
充电器
的厂家是
OPPO
在 19 年 11 月发布 RenoAce 手机搭载的 65W 快充,在提升充电效率的同时减小体积。
但该款是作为手机专用配件搭配手机使用。
小米为第一家将
GaN
充电器
单独零售的手机
企业
,而且售价创下业内新低。
小米的加入直接加速
GaN
充电器
的渗透,各大手机厂商会马上跟进。
未来如果
苹果
也开始采用
氮化镓
的
充电器
,氮化镓充电器的渗透率会加速上升。
在今年的 CES2020 上,包括 Anker 在内的 30 家厂商推出了 66 款
氮化镓
快充产品。
▲部分传统快充充电头与
氮化镓
充电头在重量、体积、价格上的对比
GaN
充电器
相比传统快充充电器,其最大的优势便是在同等功率的情况下重量、体积、价格上均有优势,对于消费电子充电器品类有着较强的渗透能力,未来 100-200 元区间的 GaN 充电器将进一步对现有传统充电器乃至传统快充充电器进行替代,全面利好产业链。
GaN
产业链包括上游的衬底和
外延
环节、中游的
器件
和模块制造环节以及下游的应用环节。
目前 IDM 厂商较多,包括德国
英飞凌
、美国
Cree
、美国 Avogy、美国 Exagan和日本
三菱电机
等。
随着行业的发展,
GaN
功率器件
领域涌现了一批初创
设计
企业,与拥有生产线的 IDM 企业或代
工厂
合作开发
GaN
器件
产品,如 EPC、Transphorm、GaN System 等
设计
公司
已与 On Semi、
富士通
半导体、
台积电
、
X-Fab
等代工厂达成合作协议。
▲
氮化镓
功率器件
产业链
▲
氮化镓
功率器件
产业链上市公司
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