去年年底，国产DRAM内存厂商长鑫存储就宣布其8Gb DDR4内存已经量产。近日，长鑫存储官方网站已经公开列出自家符合国际通行标准规范的DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4X内存芯片的详细信息。并且，长鑫存储表示已开始接受上述产品的技术和销售咨询。相信很快我们就能在市面上看到相应的产品。

长鑫存储提供单颗容量8Gb(1GB) DDR4内存芯片，频率2666MHz，电压1.2V，工作温度0℃至95℃，拥有78ball、96ball FBGA两种封装样式。

长鑫存储的DDR4内存条也是自主开发设计的，搭载自己的DDR4内存颗粒，提供UDIMM桌面型、SO-DIMM笔记本型，容量均为单条8GB，频率2666MHz，电压1.2V，工作温度0℃至95℃。

此外，长鑫存储的LPDDR4X内存芯片则号称可匹配主流需求，兼备高速度与低功耗，可提供超高续航能力、超低功耗设计、稳定流畅体验，规格方面单颗容量2GB、4GB，频率3733MHz，电压1.8V、1.1V、0.6V，工作温度-30℃至85℃，200ball FBGA封装。

根据此前消息，长鑫存储的DRAM项目总投资超过72亿美元（495亿人民币），项目建设三期工程，一期建设的是12英寸晶圆厂，建成后月产能为12.5万片晶圆。而此次推出的DRAM芯片都采用国产10G1工艺技术(即19nm)制造，预计到2020年底月产能可达4万片晶圆。此外，长鑫存储还制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图，并计划在未来生产所有类型的DRAM。而随着二三期工程的完成，长鑫存储的产能将大幅提升。

在技术来源方面，资料显示，长鑫存储通过与奇梦达的合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中，这也是公司最初的技术来源之一。在2019年12月5日，长鑫存储宣布与Polaris达成合作，获得了大量DRAM技术专利的实施许可，这些专利来自Polaris 2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。

编辑：芯智讯-林子