高温反偏试验（High Temperature Reverse Bias Test，HTRB）是在高温下加上反向偏压的工作模式，由于高温下漏电流增加，质量差的器件就会失效，以此评估产品的可靠性。

测试温度：125℃，150℃或175℃。

测试时间：168h，500h，1000h。

测试目的：研究器件在静态工作模式下，以最高额定反向直流电压下或者80%最高额定反向直流电压进行工作，以确定偏置条件和温度随时间对固态设备的影响。

参考测试标准：JESD22-A108

高温栅偏试验（High Temperature Gate Bias, HTGB）主要是用于测定栅氧本身及相关界面的可靠性。

测试温度：150℃或175℃。

测试时间：500h，1000h。

参考测试标准：JESD22-A108

HTBR和HTGB是可靠性测试中最常见的测试项目。

适用测试器件：功率二极管， SiC肖特基和肖特基二极管，晶闸管，三端双向可控硅和IGBT。

试验设备：高温反偏试验机

设备能力:

温度0-200℃/电压0-2000V

设备特点:

（1）“自动加电”：老化加载实现自适应程控方式，调取器件数据库自动完成试验全过程。

（2）全程监控试验情况，记录试验曲线和数据供试验分析。

（3）每台试验电源由完善的过压、欠压、过流、短路和超温保护功能，确保试验电源的可靠性。