芯能发布汽车级大功率IGBT芯片

2019年新能源汽车市场虽受到政府相关支持政策退坡影响，但全年销量仍然超过120万辆。与此同时，充电基础设施也迎来了爆发期，截至2019年年底，全国充电基础设施累计数量也已超过100万套。IGBT模块是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件，成本占到新能源整车成本的5~10%，占到充电桩成本的近20%。

芯能作为国内专业的，专注于IGBT功率器件产品供应商，从2015年开始涉足汽车IGBT的研发，我司经过多年的多次优化、反复验证，在2019年12月成功研发出了芯能完全自主的汽车级750V200A IGBT芯片。

1、芯片信息

本芯片采用国际领先的沟槽栅+场截止技术，并针对车用场合进行了器件设计和工艺优化。一方面在保证了击穿电压有足够冗余的情况下，获得较好的导通压降，同时优化了芯片布局，让器件的开关特性更好，更经济适用。

■750V,200A

■沟槽栅+场截止技术

■超低损耗

■高可靠性

■高结温175℃

■通过严苛的汽车级可靠性测试

2、模块信息

此产品是750V400A的三相全桥IGBT模块，以自主研发750V200A IGBT芯片和定制的750V200A FRD芯片为核心，基于行业成熟通用封装形式。采用真空焊片焊接工艺降低焊接空洞率；采用氧化铝陶瓷DCB，保证高绝缘强度的情况下，提高模块导热性。750V电压等级，弥补常规600V，650V在有些电压平台耐压不足的缺点，提高可靠性。