MLCC失效检测方法大全!


全球找货,好不容易买来的MLCC却失效了?富士康电子元器件检测专家告诉你原因

MLCC失效原因

在产品正常使用情况下,失效的根本原因是MLCC 外部或内部存在如开裂、孔洞、分层等各种微观缺陷。这些缺陷直接影响到MLCC产品的电性能、可靠性,给产品质量带来严重的隐患


外部因素:裂纹

1.温度冲击裂纹(Thermal Crack)

主要由于器件焊接特别是波峰焊时承受温度冲击所致,不当返修也是导致温度冲击裂纹的重要原因。 


2. 机械应力裂纹(Flex Crack)

MLCC的特点是能够承受较大的压应力,但抵抗弯曲能力比较差。器件组装过程中任何可能产生弯曲变形的操作都可能导致器件开裂。常见应力源有:贴片对中,工艺过程中电路板操作;流转过程中的人、设备、重力等因素;通孔元器件插入;电路测试、单板分割;电路板安装;电路板定位铆接;螺丝安装等。该类裂纹一般起源于器件上下金属化端,沿45℃角向器件内部扩展。该类缺陷也是实际发生最多的一种类型缺陷。



内部因素:空洞、裂纹、分层

1.陶瓷介质内空洞 (Voids)

导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染,烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电,而漏电又导致器件内部局部发热,进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生,不断恶化,严重时导致多层陶瓷电容开裂、爆炸,甚至燃烧等严重后果。


2.烧结裂纹 (Firing Crack)

烧结裂纹常起源于一端电极,沿垂直方向扩展。主要原因与烧结过程中的冷却速度有关,裂纹和危害与空洞相仿。 


3.分层 (Delamination)

多层陶瓷电容MLCC)的烧结为多层材料堆叠共烧。烧结温度可以高达1000℃以上。层间结合力不强,烧结过程中内部污染物挥发,烧结工艺控制不当都可能导致分层的发生。分层和空洞、裂纹的危害相仿,为重要的多层陶瓷电容器内在缺陷。



检测方法

对于外部缺陷,通常采用显微镜下人工目测法或自动外观分选设备内部微小缺陷一直是MLCC检测的难点之一,它严重影响到产品的可靠性,却又难以发现。超声波探伤方法能够更精确地检测出MLCC内部的缺陷,从而分选出不良品,提高MLCC击穿电压与高压可靠性

关于超声波探伤仪

利用超声波的穿透与反射(表面波和底波)的特性来检测物体中的缺陷。采用超声波探伤仪能准确地找出有缺陷的MLCC 产内部微缺陷,并且能够确定缺陷的位置,进一步的磨片分析,对于发现有内部缺陷的产品则采用整批报废处理,表明了超声波探伤方法在MLCC内部缺陷的检测、判定上的有效性与可靠性

正常样品:样品扫描照片整体颜色为绿黄色,表示样品本体显示正常。部分样品边缘出现红蓝色,是由于样品边缘表面高度不均匀造成,属于正常现象。

异常样品:样品本体颜色会出现红蓝色,则会再次对可疑样品进行扫描确认。

超声波扫描后的样品成像如图

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其他元器件及IC产品失效分析

不止MLCC失效分析,富士康检测创新中心的专业实验室还可以对其他电子元器件及IC产品进行失效分析。检测创新中心强大的电子元器件验证应用数据库、产品生产制造支持以及世界一流大厂原厂技术支持等诸多优势,为您提供专业的电子元器件分析和验证支持服务

失效分析对产品的生产和使用都具有重要的意义,通过分析工艺废次品、早期失效、试验失效、中试失效以及现场失效的样品,确认失效模式、分析失效机理,明确失效原因,最终给出预防对策,减少或避免失效的再次发生。

常见的IC失效模式

失效模式:静电损伤、金属电迁移芯片粘结失效、过电应力损失、金属疲劳、热应力、电迁移失效、物理损伤失效、塑料封装失效、引线键合失效

失效分析方法

01

电特性测试通常应用于失效分析初步阶段,目的是通过掌握样品电参数或功能失效状况,方便为进一步分析作准备。


02

观察量测:通过观察IC外部/内部外观&结构,确认IC异常位置及具体状况。该类测试一般与DPA(即破坏性物理分析)结合使用。


03

DPA破坏性测试通过液体侵蚀、机械破坏、激光切割等破坏方式,对IC内部具体失效位置进行定位及呈现。


04

可靠度测试是通过使用各种环境试验设备,模拟气候环境中的高温、低温、高温高湿以及温度变化等情况,验证IC寿命及性能稳定性。


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关于富士康特色检测项目


富士康检测创新中心成立于2005年,创始团队汇集科技精英,凭借雄厚的技术背景和开拓创新精神,配合高科技电子产品设计验证、生产过程中的检测需求组建科技实验室。中心迄今发展成目前8大功能30余个专业的实验室,占地6.6万平方米,主要检测设备4300余台(套),拥有1500人的管理、技术人员团队。实验室已取得CNAS、CMA、NVLAP、VCCI等国内国际能力认可资质,一份报告,全球通行

真假料辨别



  • 外观丝印尺寸比对
  • 电性测试比对
  • 化学开封芯片比对
  • X-RAY内部结构比对
  • 切片结构及材料成分比对


信号完整性量测



  • 高速串行信号量测
  • USB3.1&PCle3.0/PD
  • 视频信号量测
  • VGA/DVI、LVDS/MIPIHDMI
  • 并行总线信号量测
  • 低速信号量测


器件失效分析



  • 超声波扫描分析
  • 功能/参数分析
  • 2D/3D/5D X-RAY探测
  • 化学开封芯片表面观察
  • 高倍观测(3D&SEM


可靠性测试



  • 温湿度加速老化
  • 寿命老化测试
  • SMT制程能力评估
  • 机械冲击试验
  • 混合气体测

ESD静电分析



  • ESD-HBM测试
  • ESD-MM测试
  • Latch-up 测试
  • 系统级ESD测试
  • ESD保护元器件性能评

电磁兼容/安规性能测试



  • 辐射干扰(RE,10m/3m)
  • 传导干扰(CE)
  • 电磁辐射耐受测试(RS)
  • 传导耐受测试(CS)
  • 电性快速脉冲耐受测试(EFT)

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服务咨询:金先生  

☎ 15844331399 

✉ ben.jin@360ic.com



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