【设备推广】 聚焦离子束-电子束双束系统FIB-SEM FEI Scios 2 DualBeam（北京）
型号：FEI Scios 2
01
技术指标
1、电子束电流范围：1 pA - 400 nA；
2、电子束电压：200eV-30 keV，具有减速模式
3、电子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV)
4、大束流Sidewinder离子镜筒；
5、离子束加速电压500V-30kV（分辨率：3.0 nm）；
6、离子束束流1.5pA-65nA，15孔光阑。
02
配置情况
1、GIS气体注入：Pt沉积
2、Easylift纳米机械手（精度<500nm）
3、ETD SE、T1（筒内低位）、T（高位）探头
4、Nav-camTM：样品室内光学导航相机
5、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自动拼图、NanoBuilder纳米加工软件。
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适用样品
半导体、金属、陶瓷材料截面加工及透射样品制备
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设备简介
FEI Scios 2 DualBeam系统在Scios系统的基础上进行了升级，更加适用于金属、复合材料和涂层，特点是适用磁性样品、借助漂移抑制对不导电的样品可以进行操作、Trinity检测套件可同步检测材料、形态和边缘对比对度，大大提高效率、软件可以实现三维数据立方体分析金属中夹杂物大小和分布、独有的工作流模式，可以设定程序，降低操作员的难度。在超大样品仓中集成了大尺寸的五轴电动样品台，XY轴具有110mm移动范围，Z方向具有85mm升降空间。
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预约与收费标准
机时：2000h/年，服务时效：3~5天，配备专业工程师；
请登录米格实验室平台，电镜专区自助预约：
http://www.migelab.com/Home/eq_details/eid/402494；
（1）FIB加工
SEM-FIB | 机时数（h） | 单价（元） | 总价（元） |
SEM-FIB加工 | X＜20 | 2000 | 2000*X |
SEM-FIB加工 | 30 | 1500 | 45,000 |
SEM-FIB加工 | 50 | 1300 | 65,000 |
SEM-FIB加工 | 100 | 1000 | 10,0000 |
（2）TEM制样
TEM制样 | 数 量（pcs） | 单价（元） | 总价（元） |
FIB制样 | X<10 | 5,000 | 5,000*X |
FIB制样 | 10 | 4,000 | 40,000 |
FIB制样 | 20 | 3,500 | 70,000 |
（3）SEM制样
SEM形貌 | 机时数（h） | 单价（元） | 总价（元） |
SEM形貌分析 | X＜10 | 6,00 | 600*X |
SEM形貌分析 | 10 | 5,00 | 5,000 |
SEM形貌分析 | 50 | 350 | 15,000 |
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样品要求
（1）严禁对磁性粉末样品进行观察
（2）粉末无磁性样品必须用洗耳球或氮气枪进行多次吹洗，否则不允许进行观察
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米格实验室大课堂
FIB/SEM双束电镜在新能源和新材料方面的应用培训（免费学习）：
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