Allegro单片巨磁阻解决方案
Allegro最新的高集成度巨磁阻技术能够为设计人员提供更多选择，可用于满足一些新兴应用的需求，并可扩展某些现有应用的功能。
您知道巨磁阻技术的起源吗？
1988年，法国科学家Albert Fert和德国科学家Peter Grünberg各自独立地发现了巨磁阻效应，两人凭借此项发现共同获得2007年诺贝尔物理学奖。
许多巨磁阻解决方案供应商都采用多芯片方案，即包括单独的传感器芯片和接口芯片。Allegro 是极少数能够直接将完整巨磁阻解决方案集成在同一半导体晶圆的IC制造商之一。
这种高集成度技术具有许多优势，其中包括通过避免额外的芯片至芯片间键合，来提高了可靠性，并且在需要集成载流线路，或者需要将敏感元件参考外部基准定位时，可以简化整体设计。
巨磁阻与霍尔效应传感器相比各有优势，在做出选择时需要了解具体应用对于传感器的要求。在许多情况下霍尔解决方案更加合适，而在另外一些情况下巨磁阻传感器则更加合适。
巨磁阻技术能够改善信噪比，提高分辨率，同时能够降低特定解决方案所需的磁场等级，允许较小的磁体、较大的气隙，还能够实现比平面霍尔传感技术更加可靠的新型、差分磁性解决方案。Allegro将充分利用巨磁阻技术所提供的新特性，来推出更广泛的磁传感器IC产品组合。
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