台积电表示，3nm工艺不受疫情影响，研发进度符合预期，预计在2021年进入风险试产阶段，2022年下半年量产。且台积电评估多种选择后认为，FinFET工艺的成本及能效比GAA更好，所以第一代3nm工艺还将继续使用FinFET晶体管技术。

3nm节点的晶体管密度将达到买平方毫米2.5亿个，而目前7nm EUV工艺的麒麟990 5G芯片尺寸为113.31平方毫米，晶体管密度为103亿，其每平方毫米晶体管密度为0.9亿，这也意味着3nm制程工艺的晶体管密度将是7nm的3.6倍。

在4月16日的一季度财报分析师电话会议上，台积电副董事长兼CEO魏哲家透露，3nm是他们在5nm之后在芯片工艺上的一个完整的技术跨越，同第一代的5nm工艺（N5）相比，第一代的3nm工艺（N3）的晶体管密度将提升约70%，速度提升10%到15%，芯片的性能提升25%到30%，3nm工艺将进一步夯实他们未来在芯片工艺方面的领导地位。

据了解，台积电在3nm工艺方面已研发多年，多年前就在开始筹备量产事宜。台积电创始人张忠谋在2017年的10月份，也就是在他退休前8个月的一次采访中，曾谈到3nm工厂，当时他透露采用3nm工艺的芯片制造工厂计划在2022年建成，保守估计建成时可能会花费150亿美元，最终可能会达到200亿美元。

而在去年10月份的报道中，外媒表示台积电生产3nm芯片的工厂已经开始建设，工厂占地50到80公顷，预计花费195亿美元。

台积电3nm节点的最大对手三星同样押注3nm节点，进度及技术选择都很激进，三星将淘汰FinFET晶体管，直接使用GAA环绕栅极晶体管。根据三星的信息，相较于7nm FinFET工艺，3nm工艺可以减少50%能耗、增加30%性能。三星计划2021年量产，疫情影响已推迟到2022年，但没有明确具体时间。

早前媒体报道称，台积电受疫情影响将会降低2020年的资本支出，但台积电在财报说明会上表示，2020年资本支出计划不变，预计支出在150至160亿美元之间。台积电总裁魏哲家表示，5G及高效能运算(HPC)在未来几年对先进制程的需求强劲，疫情只影响短期业务，布局中长期产能不需要改变资本支出计划。

台积电持续推进先进制程产能扩张，魏哲家表示，台积电7nm需求仍然十分强劲，订单充足，7nm优化后的6nm制程将如期在年底量产，6nm与7nm加强版相较会增加1层EUV(极紫外光刻)光罩层。

针对5nm生产进度，魏哲家表示，5nm已准备好进入量产，5nm制程增加更多的EUV光罩层，下半年会开始进入量产，为客户生产智能手机及HPC等芯片，今年营收占比达10%预估不变。