新品 1200V/10A IPM

Xiner 深圳芯能半导体技术有限公司 今天


基于高性能小型DIP29封装，芯能半导体最新推出了1200V/10A IPM产品XNS10S12FT, 进一步完善了产品系列，填补了国产1200V等级产品空白，将有助于进一步实现商用空调和工业电机逆变器的低功耗、小型化及轻量化。

XNS10S12FT完全兼容M品牌产品，集成优化的6通道SOI工艺栅极驱动器，具备过电流保护、温度输出、防直通等功能，封装上采用DBC实现低热阻，可提高可靠性，优化PCB尺寸和系统成本。现有产品规格为1200V/10A，系统应用功率可达2.2KW。





产品特性

  • 三相IGBT逆变器，包含栅极驱动和保护的控制IC

  • Trench FS-IGBT技术

  • 坚固的1200 V SOI栅极驱动器技术，具有瞬态稳定性

  • 过电流、短路关断保护，保护期间所有6个开关均关闭

  • 采用DBC (Al2O3) 基板实现非常低的热阻

  • 内置自举二极管和专用的Vs 引脚以简化印刷电路板布局

  • 内置负温度系数的电阻用于温度检测

  • 端子无铅电镀，符合RoHS标准


产品优势

  • 节省系统成本

  • 缩短产品上市时间

  • 高功率密度

  • 封装兼容


产品应用

  • 工业变频器

  • 伺服控制系统

  • 中央空调


规格参数（@25℃）

符号

参数

工作条件

额定值

单位

VCES

集电极-发射极之间电压


1200

V

±IC

单个IGBT集电极电流

TC= 25°C, TJ≤150°C

10

A

±ICP

单个IGBT集电极峰值电流

TC= 25°C, TJ≤150°C , PW < 1ms

20

TJ

工作结温


-30~150

°C

Rth(j-c)Q

节点-壳体热阻

逆变器工作条件下的单个IGBT

1.3

°C /W

VCE(SAT)

集电极-发射极间饱和电压

VD=VDB=15V, VIN=5V

IC=10A, TJ=25°C,

2.0

V

IC=10A, TJ=125°C,

2.1

VISO

绝缘电压

60Hz，正弦波，1分钟，连接基板到引脚

2500

Vrms


内部框图



应用框图