运算放大器的I-V转换应用

Allen 3PEAK思瑞浦 昨天


首先了解一下运算放大器中的IB和IOS这两个参数在I-V应用中的影响。理想的运算放大器的IB和IOS都是为0,现实的运算放大器在它的输入管脚都会吸收或输出少量的电流,如(图1)所示


图1


其中IB是定义的输入偏置电流,IOS是定义的输入失调电流,IOS的量级通常比IB小的多,实际应用中可以只用考虑IB的大小,而IB的大小通常和运算放大器的制造工艺ESD架构相关:

IB= ( IP+I) /2

IOS=(IP=-In)/2

Bipolar工艺的IB远大于CMOS工艺的IB,依CMOS运算放大器为例,CMOS工艺运算放大器输入Pin内部是接MOSFET的栅极,不消耗任何电流,但运算放大器的同相/反相输入Pin通常存在ESD保护二极管,会有极小的反相电流存在(通常是pA级大小),如(图2)所示。


图2


反相电流是少数载流子参与电荷移动形成的电流,少数载流子受温度影响严重,通常环境温度每升高10℃,二极管PN结反相电流都会增加1倍。


电流-电压转换器也称为跨阻放大器(TIA),如(图3)所示。

图3

输入电流IS,Vo=A*IS ,这里A是电路增益,单位是V/A。假定IB=0,也就是理想放大器,则Vo=-R*IS IB的存在,实际运算放大器的输出是:

Vo=-R*(IS-In)=-R*(IS-IB)


R的值决定了系统的增益,为了实现更高增益通常提高R的阻值,但实际应用中R的提高并不能线性提高系统增益。较小阻值的T型网络可实现高增益的应用,如(图4a)所示:

图4a


但此电路对运算放大器的Vos有一定的要求,不适合选Vos太大的运算放大器,此时的运算放大器的输出电压:

Vo=-K*R2*IS+Vos*(1+R2/R1)

其中K=1+R/R1+R/R2

R也可看成一个Z(S)阻抗,其中S是复频率,在一些高频应用中,如(图4b)的等效输入模型,需要考虑运算放大器的同相/反相输入Pin间的电容带来的漏电的影响。当然为减少IB的特殊ESD架构和低输入Pin间电容运算放大器对系统性能的提升很有帮助。

Vo(s)=-Z(S)*IS(S)

图4b


最常见的I-V转换应用是光电流或光电导检测、高阻抗Sensor电流检测等,如实现宽范围电流检测,可在反馈网络中加入低Rdson,低IOFFAnalog Switch实现多量程切换,如(图5)所示:

图5


3PEAK的TP24xx系列产品:采用CMOS工艺生产、低Vos(<1mV)、严格的IB(<200pA MAX)测试,满足精密光电采集、高阻抗Sensor高精度信号采集应用。


模拟开关TPW3125带宽(250MHz)、低Rdson(<5Ω)、低Leakage ON/OFF current(<0.1uA MAX), 适合多量程测量应用。


对数放大器也是一种I-V转换器,其传递函数是:

VLOG=VY*Logb(IS/IR)

其中VY是输出比例因子


3PEAK的对数放大器TPA8304是0.2V,IR是输入基准电流,b为基底,通常是10,VLOG是对数放大器输出,IS是输入电流。


三极管的Vbe电压和输入电流有一定的对数关系,对数放大器的实现就是利用了BJT的指数特性,集电极电流ic是按照指数规律与基极-射极间Vbe关系为

ic=IS*exp(Vbe/VT)


其中VT为电压档量,常温下约为26mV,IS为集电极饱和电流

VBE=VT*ln(iC/IS


(图6)中ic=VS1/R,同时考虑到运算放大器的VOS运算放大器的IB,ic=((VS1-VOS)/R)-IB传递函数

VO=-VT*ln((VS1-VOS-R*IB)/(R*IS))


图6


电源5V供电,TPA8304内部提供一个固定的2.0V基准,内部温度补偿电路保证宽温度范围的很好的Log(对数)一致性,内置独立运算放大器,方便满足额外增益的实际应用。快速动态相应特性:

  • 10nA到10uA阶跃相应时间0.5us

  • 10uA到1nA 阶跃相应时间3us


图7、TPA8304内部框图


TPA8304可实现1nA到10mA电流7dec(DR为动态范围,定义为DR=Logb(Ismax/Ismin)的数据压缩,10nA to 1mA范围,0.25dB的动态误差,实现光路系统的光功率监测的EDFA、VOA等应用。


图8、TPA8304 Log特性


I-V转换应用范围广,从光电检测、高阻抗Sensor信号采集,到光功率检测等应用,3PEAK均有合适的精密、高速和对数运算放大器产品满足多种应用要求。同时GHz带宽、低IB运算放大器也敬请期待。


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