继今年4月下旬，国产DRAM厂商长鑫存储宣布与美国半导体IP供应商Rambus Inc.（蓝铂世）签署了专利许可协议，获得了大量的DRAM技术专利之后，5月12日，兆易创新也宣布，与Rambus就RRAM (电阻式随机存取存储器) 技术签署专利授权协议。同时，兆易创新还与其同Rambus 以及几家战略投资伙伴的合资企业——合肥睿科微（Reliance Memory）签署了授权协议 。

根据协议内容，兆易创新从Rambus和睿科微获得180多项RRAM技术相关专利和应用，这将有助于兆易创新在新型存储器RRAM 领域的前瞻性技术布局，从而为嵌入式产品提供更丰富的存储解决方案。

合肥睿科微由兆易创新携手Rambus以及其他全球知名半导体投资机构于在2018年5月创办的以RRAM技术为核心业务的合资公司。

资料显示，RRAM作为一种非易失性随机存储方式，能够在改变电压的前提下，通过改变电介质的电阻进行存储。RRAM拥有独特物理与器件特性，可在工艺后端线(BEOL) 以列阵结构制造，其列阵结构的低电压特性能够有效降低MCU产品中嵌入式非易失性存储解决方案的功耗，非常适合物联网应用; 此外，根据学术界与行业发表的相关文献，在平衡性能、可靠性及成本的方面，RRAM有可能成为在DRAM和Flash之间一种可行的存储级内存（SCM）。                                                                                    

兆易创新董事长朱一明先生表示：“兆易创新一直以创新为己任，多年来致力新技术革新，强化产品竞争力，重视核心专利， 此次获得Rambus和睿科微针对RRAM技术的授权，有助于我们为客户提供更具创新特色的存储解决方案。”

Rambus技术合作和企业发展高级副总裁Kit Rodgers表示：“兆易创新在全球闪存领域已取得显著的成绩，我们很高兴能够将RRAM专利方案授权给兆易创新，此次授权能够帮助其在存储器领域开发创新型的解决方案，并加速其商用的进程。”

编辑：芯智讯-林子