光伏电池是有效利用太阳能的重要手段。众多类型的光伏电池中，单晶硅太阳能电池技术已经确立光伏产业显著的优势地位。P型单晶硅发展较早，主流产品经历了BSF电池，PERC电池以及双面PERC+电池的不断发展，电池效率已逐渐接近瓶颈。与之相比，N型硅片具有较长的少子寿命、更小的光致衰减，公认未来高效光伏电池发展将切换到Ｎ-Topcon、HJT等N型电池方向。

基于N型硅片的异质结电池(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer， HIT) ，结合了薄膜太阳能技术，理论效率达27%以上，是已知量产电池中相对效率最高的结构，成为了下一代电池技术的最有力竞争者。

◇ 结构对称，正背面受光后均可发电

典型的结构如图1所示。在封装为双面电池后，可获得近10%发电增益。

图１　HJT电池结构

◇ 较长的少子寿命

受益于本征非晶硅的良好对缺陷的钝化以及更大的禁带宽度，电池的开路电压高。

◇ 温度和光照稳定性好

HJT电池温度系数小，在弱光和光照升温条件下输出特性衰减较少，无Staebler-Wronski效应，几乎无光致衰减。

◇ HJT在N型单晶硅上结合低温薄膜工艺，制作工序少

典型的制作工艺为如图2所示，整个工艺通常不超过200℃，硅片本身受热损伤和热型变影响小，可以使用更薄的硅片。

图２　HJT电池的工艺路线

HJT的降低成本路线

（1）HJT采用了与传统晶硅电池工艺设备不兼容的薄膜沉积的技术，设备一次投资高，带来成本的上升，通过推动HJT产业规模化发展，设备成本有望持续下降，接近与PERC持平。

（2）N型硅片市场价格高于P型，随着P型硅片的大幅降价，HJT电池N型硅片的价格劣势被进一步放大，将硅片薄片化可以有效降低电池硅耗量，节约生产成本。

（3）目前，银浆的使用是HJT工艺中极为重要的成本组成，采用的低温银浆需要很好的平衡电阻率、浸润接触，焊接拉力以及印刷性等性能要求。由于HJT双面丝网印刷，银消耗达到烧结型银浆的3倍，往往占电池非硅成本一半以上。采用的低温银浆通常为潜伏性固化型，需要低于室温保存，冷链运输需求也会进一步推高成本。因此，银浆及相应工艺技术的优化有望带来巨大降本空间。