低成本也能实现高性能？全新SuperGaN™技术了解一下

富士通电子 今天
Transphorm，Inc.公司前不久推出了其第四代GaN平台。与前几代GaN技术相比，Transphorm的新一代技术在性能、可设计性和成本方面都有显著进步。




Transphorm宣布，其第四代及以后的平台都将相应地被称为SuperGaN™技术。目前，SuperGaN系列已开发出两款通过JEDEC认证的器件。第一款为TP65H300G4LSG，是一颗650V GaN FET，采用PQFN88封装，导通电阻为240毫欧。第二款是TP65H035G4WS，同样为650V GaN FET，采用TO-247封装，导通电阻为35毫欧。这些器件目前正处于提供样品阶段，并将分别在第二季度和第三季度发布。它们的目标应用包括适配器、服务器、电信、广泛的工业和可再生能源。系统设计人员可以在Transphorm的4kW无桥式图腾柱AC-DC评估板TDTTP4000W066C-KIT中评估这项技术。


Transphorm公司的评估板TDTTP4000W066C-KIT

（图片来源Transphorm官网）


高可靠性的第三代平台

Transphorm的第三代器件于2018年6月推出，是当时市场上最高质量、最高可靠性的[Q+R] GaN FET。第三代漏极和源极PQFN88封装包括更宽的引脚以提高板级可靠性(BLR)，从而增加多层印刷电路板(PCB)设计的可靠性。所提供的漏极和源极接头配置还可适应高侧和低侧开关位置。这在将大焊盘焊接到非开关节点时，可提供更强的辐射抗扰度。此外，对于工程师探索GaN驱动的表面贴装应用也提供了很大帮助。


SuperGaN™技术与众不同之处

在设计第四代产品时，Transphorm的工程团队借鉴了先前产品生产记录的经验，并不断追求提高性能、可制造性和降低成本，从而设计出归于至简又具备实质性改进的新产品。新平台专利技术的优势在于增强了Transphorm GaN固有的高性能，简化了组装和应用，这将是促成SuperGaN™品牌成功的催化剂。


SuperGaN Gen IV的优势

  • 提升了性能：第四代产品的效率曲线更平坦、取值更高，其FOM优异度（RON * QOSS）提高了大约10个百分点。

  • 设计更简单：高工作电流下不再需要使用开关节点缓冲电路，简化了第四代产品在设计中的应用。

  • 增强了抗浪涌电流的能力 (di/dt)：消除了半桥中内置续流二极管功能对开关电流的限制。

  • 降低了器件成本：第四代产品的设计创新和专利技术同样简化了器件的封装，从而降低了成本，使TransphormGaN的价格更接近于硅晶体管。

  • 经过验证的稳定性/可靠性：第四代35毫欧FET的栅极稳定性和抗扰度与Transphorm第三代器件相同，均为+/- 20 Vmax和4 V。





Transphorm全球技术营销和北美销售副总裁Philip Zuk表示：

我们希望Transphorm的SuperGaN™ FET像硅基超结MOSFET的发展一样，继续影响下一代电力电子产品。通过提供更出色的性能，并提高用户的整体投资回报率，我们的第四代GaN平台正在其它功率等级上创造新的设计机会。我们能够在不牺牲可靠性的情况下减少损耗，并将初始设备投资降低到接近用户之前使用硅基产品时的水平，这表明，GaN在市场上的地位正在强化。


关于Transphorm

富士通电子旗下代理品牌 Transphorm，是一家设计、生产氮化镓功率转换器和模块的企业。
2007年成立，Transphorm以美国加州大学圣塔芭芭拉分校的教授和研究人员为主体，致力于设计、生产GaN（氮化镓）功率转换器和模块，已获得了包括谷歌、富士通、凯鹏华盈、考菲尔德及拜尔斯、索罗斯基金管理公司、量子战略合作伙伴在内的众多投资机构的青睐。
2013年，Transphorm推出了当时业内唯一经过JEDEC认证的GaN器件，建立了业界第一个也是唯一通过JEDEC认证的600V GaN产品线。
2014年2月，Transphorm与富士通半导体的功率器件业务部进行了业务合并，Transphorm负责设计、富士通半导体负责制造并代理销售。
2015年，Transphorm和安森美建立合作关系，共同推出基于GAN的电源方案。公司创立十多年来，Transphorm一直专注于将高压GaN FET推向市场。致力于为电力电子市场（数据中心服务器、PV转换器、感应/伺服电机、工业及汽车等商业供电市场）设计、制造和销售GaN产品。
2017年3月，又推出了市场上仅有的一款经过AEC-Q101认证的650V车用GaN器件。

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