三安光电70亿定增过审，将投资Mini/Micro LED等项目的研发和产业化

CINNO 3天前

来源：21世纪经济报道、三安光电公告

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6月4日，三安光电股份有限公司（以下简称“三安光电”）发布公告称，6月3日，公司收到中国证券监督管理委员会（以下简称“中国证监会”）出具的《关于核准三安光电股份有限公司非公开发行股票的批复》（证监许可[2020]989号）文件，核准公司非公开发行不超过400,916,380股新股，发生转增股本等情形导致总股本发生变化的，可相应调整本次发行数量。

非公开发行预案显示，三安光电拟定增3.99亿股，募资70亿元用于投资建设泉州三安半导体科技有限公司半导体研发与产业化项目（一期）。

三安光电的定增对象是格力电器（000651.SZ）和先导高芯，前者拟出资20亿元认购1.14亿股，后者拟出资50亿元认购2.85亿股。

三安光电本次定增价为17.56元/股。

值得注意的是，格力电器和先导高芯在三安光电本次再融资上会前夕，重新对拟认购股票的锁定期进行了延长调整。

而据此前披露的三安光电非公开发行预案，格力电器和先导高芯认购本次定增的股票，锁定期为18个月。

格力电器和先导高芯延长一倍限售期的承诺，除提高了三安光电再融资过会成功率，对三安光电股价亦有刺激，4月30日和5月6日，三安光电股价放量大涨。

而格力电器和先导高芯参与出资的三安光电再融资募投项目半导体研发与产业化（一期），相当于再造一个三安光电。

非公开发行预案表明，三安光电募投项目总投资为 138.05亿元，其中利用募资70亿元。

据了解，三安光电此次募集资金拟投入“半导体研发与产业化项目（一期）”（规划总投资约138亿元）。主要投向中高端产品，包括高端氮化镓LED外延芯片、高端砷化镓LED外延芯片、Mini/Micro LED、大功率三基色激光器、车用LED照明、大功率高亮度LED、紫外/红外LED、太阳能电池芯片等。

三安光电表示，随着本次募投项目的顺利实施，在前期产业布局基础上，本次募投项目的主要产品将填补国内空白，公司提高在高端、新兴应用领域产品的产能，加快产品结构升级，提升市场份额，顺应 LED 行业产品结构调整的发展趋势。

根据预案显示，三安光电半导体研发与产业化项目（一期）建设主要包括三大业务板块及公共配套建设，三大业务板块分别为：氮化镓（GaN）业务板块、砷化镓(GaAs)业务板块、特种封装业务板块。

本次募投项目实施后，将建成包括高端氮化镓 LED 衬底、外延、芯片；高端砷化镓 LED 外延、芯片；大功率氮化镓激光器；特种封装产品应用四个产品方向的研发、生产基地。其中，各业务板块具体的产能规划如下：

氮化镓业务板块：

1、年产GaN芯片 769.20 万片，其中：第五代显示芯片（Mini 背光/Micro LED）161.60 万片/年、超高效节能芯片 530.80 万片/ 年、紫外（UV）芯片 30.80 万片/年、大功率芯片 46.00 万片/年；

2、PSS 衬底年产 923.40 万片；

3、大功率激光器年产 141.80 万颗。

砷化镓（GaAs）业务板块：

1、年产 GaAs LED 芯片 123.20 万片，其中：第五代显示芯片（Mini/Micro LED）17.60 万片/年、ITO 红光芯片 34.90 万片/年、RS 红光芯片 19.10 万片/年、高功率红外产品 14.20 万片/年、植物生长灯芯片 14.40 三安光电股份有限公司 2019 年度非公开发行 A 股股票预案 24 万片/年、大功率户外亮化芯片 7.20 万片/年、车用级芯片 7.00 万片/年、医疗健康芯片 8.80 万片/年；

2、年产太阳电池芯片 40.50 万片，其中：商用卫星电池 13.50 万片/年、临近空间装置 27.00 万片/年。

特种封装业务板块：

1、UV LED 封装 81.40kk/年；

2、Mini LED 芯片级封装 8,483.00 kk/年；

3、车用级 LED 封装 57.80kk/年；

4、大功率 LED 封装 63.20kk/年；

5、IR LED 封装 39.00kk/年。

从上面的介绍来看，此次三安光电募资的70亿主要都是计划投向以砷化镓、氮化镓为代表的高端化合物半导体的研发与应用。

公告称，该项目建设期为4年，达产期为7年，预计达产年销售收入82.44亿元（不含税），达产年净利润19.92亿元。

定期报告显示，三安光电2019年的净利润为12.98亿元，远低于本次再融资募投项目的达产年净利润。