官方向：高速内存颗粒FT端到端测试

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2020年随着5G商用的铺开，AI应用的深入，预计到2023年，全球基于DRAM芯片的消费将增加约一倍。这一增长主要是由数据处理和移动通信市场领域的增长所驱动，数据中心需要更多的内存，智能手机的功能也在扩展，包括更高的分辨率、更强大的数据运算处理需求。

同时紧跟着智能手机市场，AR/VR、自动驾驶、工业自动化、智慧城市等新兴市场对更多存储容量、更高存储速度的需求也在日益增加。

顺应市场趋势，以用户为需求导向，爱德万测试综合业界最前沿测试经验、整合技术优势，研发推出了新型存储测试平台，通过优化内存颗粒后端测试流程，来应对这日益增长的存储器市场需求。


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2 in 1




爱德万测试陆续推出了H5620和T5503系列平台，将传统的颗粒老化测试，存储单元内核测试和高速接口测试这三道流程，精简为两道流程，提高测试效率的同时帮助缩减测试成本。

传统的测试流程


H5620和T5503系列平台的测试流程


对应高速接口测试—— T5503系列


移动电子、数据中心、汽车、游戏和显卡等多种数据处理应用在未来几年将需要使用超过1200亿千兆的DRAM容量。为了满足这种巨大且不断增长的需求，芯片制造商正在开发新的、先进的DRAM技术，如数据传输速度高达每秒6.4千兆比特(Gbps)的LPDDR5和DDR5存储器。


爱德万测试的T5503HS2旨在为这些新的内存浪潮以及现有的设备提供测试解决方案。它的测试速率最快能达到8Gbps同时测试精度在±45皮秒。


T5503HS2提供了高达16256通道的数字测试资源，支持下一代LP-DDR5和DDR5的全部功能，同时也兼容目前市场主流的DDR4，LP-DDR4及其他高速存储器芯片，实现了半导体业界最高的同测数和最优利润率。


独特的设计使T5503HS2在功能上完全覆盖LP-DDR5 和DDR5的测试性能需求。例如，通过实时追踪功能，测试机能够自动识别和调整DQS-DQ之间的时序来来确保测试的准确性。


T5503HS2所配置的新型可编程电源，具备更高的精度，更快速的反应速度，将高速芯片测试中带来的电压波动降低到最小。


半导体制造商在提高产能、满足性能需求的前提下，如何优化测试成本是一个永恒的话题。

爱德万测试在今年推出的H5620系列，以其卓越的效率帮助您达成这一目标。


高效率，三位一体——H5620系列

H5620将芯片老化测试、内核测试、内核修复这三大功能整合在一起，优化了测试流程、提升测试效率，缩减了整体芯片测试制造成本。


H5620可以提供 200-MHz的测试频率, 400Mbps的数据速率, 并行测试超过18000个芯片。同时支持工厂自动化，提供-10℃至150℃的测试温度环境，双腔体结构具有独立的热控稳定性。


为进一步完善测试流程，提高实验室环境下的测试效率爱德万测试也推出H5620的工程机型H5620ES。其软件环境、电气特性、测试接口板可与H5620完全兼容，提供更高效、便利的开发环境。



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