GaAs射频市场前景蒙上阴影

摩尔芯闻 今天

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随着5G建设大规模进行，GaAs器件市场需求愈加旺盛。GaAs 是较为成熟的二元半导体化合物材料，主要应用在射频、LED、光电子等领域，其中射频是GaAs 下游最大的应用领域，占比为 47%。GaAs 市场总体规模较大，2018 年全球砷化镓元件市场总产值达到 89 亿美元。


据Technavio统计，2018年全球GaAs晶圆市场规模达到9.4亿美元，2019年约为10.49亿美元，预计2021年该市场将达到12.69亿美元的规模。
 
如下图所示，在射频器件领域，目前 LDMOS、GaAs、GaN三者占比相差不大，但据Yole development预测，到2025年，GaAs市场份额基本维持不变，GaN有望替代大部分LDMOS份额，占据射频器件市场50%左右的份额。
 

拓墣产业研究院分析师王尊民表示，依据通讯产品需求，射频前端组件可依不同特性主要区分为PA(功率放大器)、LNA(低噪声放大器)、Filter(滤波器)等。其中，GaAs化合物半导体由于耐高温、可用频率范围大、高频下低噪声干扰等特性，非常适合应用于PA组件中，Si CMOS PA 在输出功率、工作频率等方面的性能明显不足，难以适应 5G 时代的高频、高功率。而目前 GaN PA 技术仍然不够成熟，成本较高。GaAs PA性能优良，能满足 5G 手机 sub-6 G Hz 频段的需求，渗透率有望持续提升。
 
另外，手机频段提升与PA组件使用数量也将成正比增长，从4G的五至七颗，逐步成长至5G时代的10-14颗。
 
根据 Yole 的预测，手机 PA 对 GaAs 的需求将从 19 年的 43.9 万片/年（等价 6 寸片），增长到 25 年的 54.2 万片/年。此外，手机 WIFI PA 和路由器 WIFI PA 消耗砷化镓晶圆的数量也呈现快速增长，有望从 19 年的 10.6 万片/年增长到 25 年 18 万片/年。受益于手机 PA 需求稳定增长、手机 WIFI PA 和路由器 WIFI PA 快速增长，射频对砷化镓需求有望保持稳定增长，整个 GaAs RF 对 6 寸砷化镓晶圆的需求将从 19 年的 74.4万片/年增长到 25 年 94.1 万片/年，CAGR 约为 4%。
 
然而，来自拓墣产业研究院的统计显示，自2019年中美贸易争端以来，驱使中国加速去美化政策，加上2020年新冠肺炎疫情的双重夹击，影响相关射频前端组件IDM大厂与制造代工厂营收，且2020年因通讯产品终端需求下滑，导致GaAs射频前端市场也出现萎缩，预期今年整体营收为57.93亿美元，相较去年减少3.8%。
 
不过，中国在射频前端组件研发实力仍不足，虽然美系IDM厂因贸易战导致中国区域营收下降，然而，中国手机品牌厂仍不得不采用美系业者产品，使之营收维持一定水平，2020年第1季营收方面，Qorvo为7.88亿美元，年增长率上升15.7%；Skyworks仅7.66亿美元，年减5.5%。
 
代工厂方面，2019年，中国相关IC设计商直接向稳懋与宏捷科采购，使得这两家在2020年第1季营收分别达到2.01亿美元(年增67.8%)与2,700万美元(年增162.6%)。代工厂环宇情况则有所不同，因其工厂主要位于美国，产能受到新冠肺炎疫情冲击，使其第1季营收仅1,200万美元，年减2.8%。
 
不过，随着全球加快推进5G布局，预计2021年射频前端IDM营收有望触底反弹，部分代工厂有机会从中受惠，预期整体营收将回暖。

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