品质提升 | FerroTec 杭州中欣国产大硅片的除杂工艺解析！
以下文章来源于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 ，作者市场部
杭州中欣晶圆半导体股份有限公司引入国外半导体专家团队，年产420万片8英寸和240万片12英寸硅抛光片。通过IATF 16949:2016、ISO14001、ISO45001等体系认证，是我国半导体大尺寸硅片生产的标杆企业。
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造成芯片器件失效、短路、使用寿命低的原因有很多，原材料晶圆片污染是其中之一。晶圆片制造过程中通常存在三大污染——颗粒、金属和有机物，污染源广泛隐匿于空气、生产设备、生产的原辅料、人员等不可避免的生产要素之中，因此，晶圆片除杂工艺的有效性就显得至关重要。针对晶圆片杂质处理，生产企业通常采用BSD和CVD工艺。
BSD
BSD（Back Side Damage）背面损伤吸杂，是指利用砂料喷射，人为打伤硅片背面，在硅片的背面的浅表层形成一定程度的机械损伤后，再利用损伤层与硅片基体对杂质吸收能力的不同达到吸杂目的，主要起吸收硅片内部金属杂质的作用，属于外吸杂工艺。
CVD
CVD（Chemical Vapor Deposition）化学气相沉积法，是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法。
01
LP CVD低压化学气相沉积法
原理：利用硅烷热分解生成Si，沉积在硅片表面，形成一层多晶硅层。因为多晶硅排列不规则，有大量缝隙，可以吸收硅片内部的金属杂质，同样属于外吸杂工艺。
02
AP CVD常压化学气相沉积法
原理：利用硅烷和氧进行反应生成SiO2，沉积在硅片背面，形成一层致密的二氧化硅层，SiO2具有很强的致密性，可以防止硅片内部的掺杂剂挥发，所以也叫背封工艺。
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什么是 超级背封工艺？
FerroTec 杭州中欣对除杂工艺的进一步完善
运用喷砂进行BSD是目前硅片生产行业内所普遍使用的一种外吸杂方式，随着半导体行业的飞速发展，各类电子产品功能越来越强大，对工艺的要求也越来越高，FerroTec杭州中欣在原有工艺基础之上不断探索，寻求工艺改进，以满足客户需求，例如增加喷砂压力、降低喷砂过程中的传送速度、提高研磨液的比重、在喷砂后增加退火、喷砂后退火使用多种温度。
相对BSD工艺，CVD吸杂效果较好，所以也被称作增强吸杂，该工艺目前主要应用于FerroTec杭州中欣大尺寸硅片生产过程中。但由于LP CVD使用的硅烷具有非常宽的自发着火范围和极强的燃烧能量，属于高危险性气体，因此在生产过程中对环境、设备、人员的要求远高于BSD，工艺成本亦水涨船高。FerroTec杭州中欣通过不断加强标准化作业管理和现场质量改进，在降低直接材料、物料消耗成本率的同时提升品质，以“乘风破浪”之势在源头上助力中国“芯”制造！
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