LPCVD--Low Pressure Chemical Vapor Deposition低压力化学气相沉积，是化学气相沉积中的一种，LPCVD拥有很均匀的阶梯覆盖性、很好的组成成分和结构的控制、高的output（通常一次可以生长50pcs甚至更多），另外LPCVD不需要载气，因此大大降低了颗粒的污染；

在半导体制程中，采用低压的目的是减小自掺杂（来自衬底本身的杂质），而这正是常压CVD面临的主要问题，LPCVD可以很好的解决这一问题。

装片——进舟——反应腔室抽真空——充N2吹扫并升温——再抽真空——保持压力稳定后process——关闭气体并重新抽真空——充N2至常压——取片

表一：化学配比的氮化硅，通常用于硅腐蚀掩模

表二：低应力氮化硅，通常用于光学薄膜或振动薄膜

表三：低应力多晶硅，通常用于结构层

表四：非晶硅，通常用于光学薄膜

表五：TEOS  SIO2,可用于牺牲层和光学膜