编者按：胡正明，1947年7月出生于中国北京，微电子学家，美国工程科学院院士、中国科学院外籍院士，美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授。他是鳍式场效晶体管 (FinFET) 的发明者，解决了晶体做薄后的漏电问题，并向上立体发展，使晶片内构从水平变成垂直，从而打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制。

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