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二极管
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中科院微电子研究所
今天
收录于话题
来
源:
可靠性
技术交流
电子元件
家族当中,有一种只允许电流由单一方向流过,具有两个
电极
的元件,称为
二极管
,英文是“Diode”,是现代电子产业的基石。
早期的
二极管
早期的
二极管
包含“猫须晶体”(Cat's Whisker Crystals)和
真空管
(ThermionicValves)。
1904年,英国
物理学
家弗莱明根据“爱迪生效应”发明了世界上第一只电子
二极管
——真空电子二极管。它是依靠
阴极
热发射电子到
阳极
实现导通。
电源
正负极接反则不能导电,它是一种能够单向传导电流的电子
器件
。早期电子
二极管
存在体积大、需预热、功耗大、易破碎等问题,促使了晶体二极管的发明。
晶体
二极管
又称半导体
二极管
。1947年,美国人发明。在半导体二极管内部有一个
PN结
和两个引出端。
这种电子
器件
按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。现今最普遍的
二极管
大多是使用
半导体材料
如
硅
或锗。
晶体
二极管
结构
晶体
二极管
的核心是
PN结
,关于PN结首先要了解三个概念。
本征半导体
:指不含任何
掺杂
元素的半导体,如纯
硅
晶片或纯锗晶片。
P型半导体:
掺杂
了产生
空穴
的含较低电价杂质的半导体,如在
本征半导体
中Si(4+)中掺入Al(3+)的半导体。
N型半导体:
掺杂
了产生
空穴
的含较低电价杂质的半导体,如在
本征半导体
中
硅
Si(4+)中掺入磷P(5+)的半导体。
由P型半导体和N型半导体相接触时,就产生一个独特的
PN结
界面,在界面的两侧形成空间
电荷
层,构成自建
电场
。
当外加电压等于零时,由于
PN结
两边
载流子
的浓度差引起
扩散电流
和由自建
电场
引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的
PN结
。
以
PN结
为核心结构,加上引线或
引脚
形成单向导电的
二极管
。
当外加电压方向由P极指向N极时,导通。
晶体
二极管
分类
晶体
二极管
可按
材料
不同和
PN结
结构不同,进行分类。
点接触型
二极管
点接触型
二极管
是在锗或
硅
材料
的单晶片上压触一根金属针后,再通
过电流
法而形成的。
其
PN结
的
静电
容量小,适用于高频电路。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。与面结型相比较,点接触型
二极管
正向特性和反向特性都差,因此不能使用于大电流和整流。
制作
工艺
:将细铝丝的一端接在
阳极
引线上,另一端压在
掺杂
过的N型半导体上。加上电压后,细铝丝在接触点处融化并渗入融化部分的中。这样,接触点实际上是P型半导体,并附着在N型半导体上形成
PN结
。
面接触型
二极管
面接触型
二极管
的“
PN结
”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把
交流电
变换成
直流电
的“整流”电路中。面接触型晶体
二极管
比较适用于大电流开关。
平面型
二极管
平面型
二极管
是一种特制的
硅
二极管,得名于半导体表面被制作得平整。最初,对于被使用的
半导体材料
是采用
外延
法形成的,故又把平面型称为外延平面型。
在半导体单晶片(主要地是N型
硅
单晶片)上,
扩散
P型杂质,利用
硅
片表面
氧化
膜的屏蔽作用,在N型
硅
单晶片上仅选择性地
扩散
一部分而形成的
PN结
。因PN结合的表面被
氧化
膜覆盖,稳定性好和寿命长。
它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。
晶体
二极管
主要特性
二极管
的伏安特性曲线如下:
外加电压Uw方向为P→N时,Uw大于起动电压,
二极管
导通;
外加电压Uw方向为N→P时,Uw大于反向
击穿电压
,
二极管
击穿。
晶体
二极管
性能参数
最大整流电流Idm:
二极管
连续工作允许通过的最大正向电流;电流过大,二极管会因过热烧毁;大电流整流可加装
散热片
。
最大反向电压Urm:Urm一般小于反向
击穿电压
,选规格以Urm为准,并留有余量;
过电压
易损坏
二极管
。
反向
饱和电流
Is:
二极管
外加反向电压时的电流值;Is反向击穿前很小,变化也很小;Is会随温度的升高而升高,一般地,常温下
硅
管Is<1μA,锗管Is=30~300μA。
最高工作频率Fm:指
二极管
能保持良好工作特性的最高工作频率。
不同用途的
二极管
差异
整流
二极管
大部分
二极管
所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能,
将
交流电
能转变为
直流电
能。
面接触结构,多采用
硅
材料
,能承受较大的正向电流和较高的反向电压。性能较稳定,但因结
电容
较大,不宜工作在高频电路中,所以不能作为检波管使用。有金属和塑料
封装
。
检波
二极管
检波
二极管
是用于把叠加在高频载波上的
低频
信号检出来的
器件
,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
锗
材料
点接触型、工作频率可达400MHz,正向
压降
小,结
电容
小,检波效率高,频率特性好,为2
AP
型。
类似点触型那样检波用的
二极管
,除用于检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。
多采用玻璃
封装
或陶瓷外壳封装,以获得良好的高频特性。
开关
二极管
关
二极管
是半导体二极管的一种,是为在电路上进行“开”、“关”而特殊
设计
制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短。
开关
二极管
的势垒
电容
一般极小,这就相当于堵住了势垒电容这条路,达到了在高频条件下还可以保持好的单向导电性的效果。
开关
二极管
从截止(高阻状态)到导通(低阻状态)的时间叫开通时间;从导通到截止的时间叫反向恢复时间;两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间,故在开关
二极管
的使用参数上只给出反向恢复时间。开关二极管的开关速度是相当快的,像
硅
开关二极管的反向恢复时间只有几纳秒,即使是锗开关二极管,也不过几百纳秒。
开关二极管
具有开关速度快、体积小、寿命长、
可靠性
高等特点,广泛应用于电子
设备
的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及
自动控制
电路中。
稳压
二极管
稳压
二极管
,是指利用
PN结
反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。
稳压
二极管
的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多,反向特性是在反向电压低于反向
击穿电压
时,反向
电阻
很大,反向
漏电
流极小。但是,当反向电压临近反向电压的临界值时,反向电流骤然增大,称为击穿。
变容
二极管
变容
二极管
(
Varactor
Diodes
)又称"可变
电抗
二极管
"。
材料
多为
硅
或
砷化镓
单晶,并采用
外延
工艺
技术。
它一种利用
PN结
电容
(势垒电容)与其反向
偏置
电压Vr的依赖关系及原理制成的
二极管
,其结构图如下。
变容
二极管
的作用是利用
PN结
之间
电容
可变的原理制成的
半导体器件
,在高频调谐、通信等电路中作可变
电容器
使用。
变容二极管
属于反偏压
二极管
,改变其
PN结
上的反向偏压,即可改变PN结
电容
量。反向偏压越高,结电容则越少,反向偏压与结电容之间的关系是非线性的。
变容二极管
的
电容
值与反向偏压值的关系图解:
反向偏压增加,造成
电容
减少;
反向偏压减少,造成
电容
增加;
反偏电压愈大,则结
电容
愈小。
发光
二极管
发光
二极管
简称为
LED
。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。
当电子与
空穴
复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成
发光
二极管
。
砷化镓
二极管
发红光,磷化镓二极管发绿光,
碳化
硅
二极管
发黄光,
氮化镓
二极管
发蓝光。因
化学
性质又分
有机
发光二极管
OLED
和无机
发光二极管
LED
。
阻尼
二极管
阻尼
二极管
类似于高频、高压整流二极管,其特点是具有较低有电
压降
和较高的工作频率,且能承受较高的反向
击穿电压
和较大的峰值电流。
阻尼
二极管
主要用在电视机中,作为
阻尼
二极管、升压整流二极管或大电流
开关二极管
使用。
二极管
芯组
整流桥堆(半桥、全桥):
高压
硅
堆(多个硅
二极管
串联):
二极管
的检测
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