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一直以来，半导体行业都是国内比较薄弱的一环，在半导体新材料制造以及芯片相关的领域都有待提高。

而这段时间，由于华为在芯片方面受到的影响，不仅让我们大众看到了如今科技技术核心上的严峻性，更让相关企业寄希望于外来技术的幻想彻底破灭。虽然我们因此陷入了研发的困境，但同样也是为解决芯片问题，国内抓紧时间奋力追赶的好时期。

9月23日，有消息称台积电2nm制程研发实现重大突破。在此前，就有消息传出台积电早在去年就对2nm芯片的研发，并且还有专门的研发团队，如今台积电2nm改采用全新的多桥通道场效晶体管架构，可以解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题，研发进度再一次突破自我。对于台积电在2nm芯片研发上的突破，已经让我们看到自己与行业中芯片制造大佬的差距。

不过，国内的芯片制造公司并不是没有行动。中芯国际在芯片方面已经对N+1、N+2等先进工艺的芯片进行量产，并且第二代 FinFET N+1已进入客户导入阶段，预计有望在2020年底实现小批量试产。

虽然根据业内人士的说法中芯国际在N+1、N+2工艺上相当于台积电10nm的芯片，基本可以被称为是台积电7nm芯片的“低配版”。从这方面看，7nm和2nm仍然存在一定的差距，但也让大家看到了中芯国际在芯片研制的决心。

不过很多网友还是有一些质疑，制造芯片不是需要用到光刻机吗？中芯国际没有光刻机怎么继续研究下去，对于这个方面，中芯国际表示这一次在N+1、N+2等先进工艺上暂时用不上光刻机设备，也就是说这一次中芯国际在这个项目上并不会受到光刻机的制约。

中芯国际与台积电在芯片上的相继行动，预示着国产芯片或将迎来新机。并且在芯片研究和开发上也不仅仅是华为以及台积电、中芯国际这样的企业在努力，同样和芯片不相关的一些大佬，例如：马云等商业人士也相继对芯片行业进行投资。

除此之外，中科院院长白春礼在关于芯片上的讲话时也表达出国内将集中精力、集中物力、人力共同将芯片上遇到的那些难题一步步攻克掉，到那时候我们就会有真正属于自己的芯片上的核心技术了。