英诺赛科董事长骆薇薇：GaN 是半导体世界的“后浪”，乘风破浪需要新的思路

2020年11月24日下午，第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）开幕大会在深圳会展中心隆重召开。

本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）与第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛得到了国家科学技术部高新技术司、国家科学技术部国际合作司、国家工业和信息化部原材料工业司、国家节能中心、国家新材料产业发展专家咨询委员会、深圳市科技创新委员会的大力支持。并得到了深圳市龙华区科技创新局的特别支持。

开幕大会上，英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇做了题为“时代‘芯’机 ‘GaN’想‘GaN’干”的报告，从全球市场角度了，分享了新时代下，氮化镓的市场潜力与未来。她表示，GaN 是半导体世界的“后浪”，乘风破浪需要新的思路。未来科技的发展方向是绿色、高效、智能化，GaN 给产业发展带来绿色、高效的解决方案。

当前全球功率半导体市场来看，2019年全球Si MOSFET 销售额是7.5B$。随着AI和数据中心，5G, 新能源汽车, 直流供电等的快速发展，功率半导体将迎来快速增长，预计2020-2025年复合增长率会超过10%。快速增长点市场需求主要集中在高频、高功率密度等领域，功率半导体未来主要增长将集中在第三代半导体，电压等级主要会集中在30V, 150V, 650V, 900V+。

GaN功率器件市场潜力巨大，GaN的应用领域涉及消费电子、工业、汽车等领域，GaN在消费类电子有极大空间。