英诺赛科董事长骆薇薇：时代 “芯”机， “GaN”想“GaN”干
2020年11月23-25日，第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）在深圳会展中心成功召开。
本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）与第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛得到了国家科学技术部高新技术司、国家科学技术部国际合作司、国家工业和信息化部原材料工业司、国家节能中心、国家新材料产业发展专家咨询委员会、深圳市科技创新委员会的大力支持。并得到了深圳市龙华区科技创新局的特别支持。
开幕大会上，英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇做了题为“时代‘芯’机 ‘GaN’想‘GaN’干”的报告，从全球市场角度了，分享了新时代下，氮化镓的市场潜力与未来。
她表示，GaN 是半导体世界的“后浪”，乘风破浪需要新的思路。未来科技的发展方向是绿色、高效、智能化，GaN 给产业发展带来绿色、高效的解决方案。
当前全球功率半导体市场来看，2019年全球Si MOSFET 销售额是7.5B$。
随着AI和数据中心，5G, 新能源汽车, 直流供电等的快速发展，功率半导体将迎来快速增长，预计2020-2025年复合增长率会超过10%。
快速增长点市场需求主要集中在高频、高功率密度等领域，功率半导体未来主要增长将集中在第三代半导体，电压等级主要会集中在30V, 150V, 650V, 900V+。
GaN FET vs MOS FET：机会在哪里？通过FOM (Ron*Qg)参数对比发现GaN FET与Si MOSFET参数对比，150V/650V电压等级GaN有优势。
“芯”时代，以5G基建、新能源汽车、特高压、工业互联网、大数据中心、人工智能、城际高速铁路和城市轨道交通为代表的“新基建”，加速助推GaN产业加速发展。
GaN功率器件市场潜力巨大，GaN的应用领域涉及消费电子、工业、汽车等领域，GaN在消费类电子有极大空间。
GaN对未来工业发展具有重大意义，GaN用于数据中心可以大幅度提升效率降低能耗 ，GaN FET 使AI电源系统更紧凑、更高效。
据统计，在作为消费类电子风向标的手机行业中，目前已有华为、小米、OPPO、魅族、三星、努比亚、realme等多个知名品牌推出了氮化镓快充产品。电商方面，目前也有17家品牌先后推出了数十款氮化镓快充新品。
英诺赛科推出All GaN快充方案。All GaN的优势(vs Si方案)高频：10X；高功率密度：4X；高效：节能50%。
英诺赛科是唯一一家高低压GaN都已量产的厂商，开关频率能进一步提升到500KHz以上，相比Si方案体积优势更明显。
GaN FET vs MOS FET 芯片价格
随着技术及市场化应用逐渐成熟，大规模量产后，成本将不是问题。
新赛道需要新思路，创新需要敢想敢干。GaN发展涉及产业化模式、建立行业生态系统、市场战略等多个方面，核心是自主可控的晶圆厂窗口期。
国内业界需要打造国产化生态系统，实现生态体系自主可控。建立行业标准、体系。她同时建议以联盟为核心，建立合作共赢共同体：平台共享、资源共享。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
开幕大会直播回放地址或点击阅读原文查看：
https://wx.vzan.com/live/tvchat-1031495127?&shareuid=300552451&vprid=0&sharetstamp=1606223984278#/
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