【前沿研究】南砂晶圆彭燕：SiC单晶材料及产业化进展

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近日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟与第三代半导体产业技术创新战略联盟主办的第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）在深圳会展中心召开。

期间，由江苏南大光电材料股份有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、广州南砂晶圆半导体技术有限公司协办的“衬底、外延及生长装备”分会上，广州南砂晶圆半导体技术有限公司研发中心主任、山东大学副教授彭燕带来了“SiC单晶材料及产业化进展”的主题报告。

一代材料决定一代器件，碳化硅材料具有禁带宽度越大，其热学本征激发需要温度越高，无需额外散热装置，减小整机体积等特质。

报告显示，电力电子SiC器件涉及高功率、高压领域，如新能源汽车、高铁运输、智能电网的逆变器等器件。技术发展&需求增加，yole报告指出SiC功率半导体市场规模的年均复合增速预计将达到38%。衬底材料涉及SiC substrate +epitaxy GaN 高能效LED；GaN高频大功率微波器件，应用雷达、武器和通信系统等方面。

碳化硅材料面临的挑战，主要来自成本与质量。其中，成本涉及150毫米和更大直径的碳化硅晶片以及成熟的技术，商用、高可靠性的产品。质量方面涉及低位错密度、低应力、P型衬底、生长和加工新技术等。

彭燕，凝聚态物理博士，山东大学副教授/博士研究生导师，广州南砂晶圆半导体技术有限公司研发中心主任。2011年6月毕业于山东大学，同年加入晶体材料国家重点实验室工作。2017-2018年在美国田纳西大学做访问学者。主要从事宽禁带半导体材料研究工作，重点研究SiC、金刚石材料的制备、表征及应用研究，先后主持、参与国家基础研究计划、973、核高基及自然科学基金项目等10余项，发表SCI论文40余篇，申请/授权专利近30项。