12月18日，南大光电公告称，由旗下控股子公司宁波南大光电材料自主研发的 ArF 光刻胶产品成功通过客户使用认证，线制程工艺可以满足 45nm-90nm光刻需求。

         图：南大光电公告
　　
　　公告称，“ArF 光刻胶产品开发和产业化”是宁波南大光电承接国家“02 专项”的一个重点攻关项目。本次产品的认证通过，标志着“ArF 光刻胶产品开发和产业化”项目取得了关键性的突破，成为国内通过产品验证的第一只国产 ArF 光刻胶。
　　
　　芯片大师认为，此举意味着国产193nm ArF 光刻胶产品正式由研发走向量产阶段。
　　
　　认证评估报告显示，“本次认证选择客户 50nm 闪存产品中的控制栅进行验证，宁波南大光电的 ArF 光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求，良率结果达标。”
　　
　　本次验证使用的 50nm 闪存技术平台，在特征尺寸上，线制程工艺可以满足 45nm-90nm 光刻需求，孔制程工艺可满足65nm-90nm 光刻需求，该工艺平台的光刻胶在业界有代表性。
　　
　　公告称与该客户的产品销售与服务协议尚在协商之中，但公告并未透露使用该光刻胶的闪存客户是哪一家。

　　
　　图：半导体光刻胶的分类（来源：兴业证券）
　　
　　据悉，ArF 光刻胶材料是集成电路制造领域的重要关键材料，可以用于90nm-14nm 甚至 7nm 技术节点的集成电路制造工艺，广泛应用于高端芯片制造（如逻辑芯片、 AI 芯片、5G 芯片、大容量存储器和云计算芯片等）。
　　
　　在此之前，国产光刻胶此前只能用于低端工艺生产线中，能做到G 线（436nm）、I 线 （365nm）水平，作为先进工艺的入场券，攻克可用于28nm -7nm DUV工艺的193nm ArF光刻胶至关重要。而目前国内主要在用的 ArF 光刻胶主要靠进口，EUV光刻胶主要供应来自日本。
　　
　　南大光电于2017年开始研发“193nm 光刻胶项目”，已获得国家“02 专项”的相关项目立项，公司计划通过3年的建设、投产及实现销售，达到年产25吨 193nm（ArF干式和浸没式）光刻胶产品的生产规模，产品将满足集成电路行业需求标准。