半导体 | 长江存储计划今年产量翻倍,试产先进192层3D NAND产品

CINNO 今天

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来源 :钜亨网

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据《日经亚洲评论》报导,大陆最大的存储芯片制造商长江存储 (Yangtze memory Technologies) 计划今年将产量翻倍,并开始生产 3D NAND 快闪存储器芯片等先进产品,以期追赶三星电子等全球领军者。

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长江存储的目标如果能够实现,将是近年来大陆在打造成熟半导体供应链上,迈出重要一步。NAND 用于几乎所有计算设备,包括智慧手机、个人计算机、服务器及连网汽车等的存储器和储存上,但生产仅由少数几家全球厂商控制。

消息人士称,长江存储预计今年将其存储器芯片每月产能扩增 1 倍,至 10 万片,约占全球总产量的 7%。

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相较之下,全球最大的 NAND 快闪存储器芯片制造商三星电子每月生产约 48 万片,美光每月生产约 18 万片。

除了提高现有芯片的产量,长江存储还在加速技术开发,知情人士表示,这家北京支援的芯片制造商,最早将于 2021 年年中试产第一批 192 层 3D NAND 快闪存储器芯片,成为首个试产这类产品的大陆制造商。

消息人士补充,这一计划可能会延迟到今年下半年,即便如此,这一时间表也会是大陆本地芯片制造商向前迈出了一大步。

长江存储计划生产的 192 层芯片,预计比三星美光开发的芯片更先进,但市场观察人士持谨慎态度,认为长江存储的芯片是否具备所需的性能和质量,还有待观察。
 
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