【光刻百科】对准精度（Alignment Precision）
光刻机的对准系统（alignment）负责把掩模上存在的图形与晶圆上已有的图形进行对准，对准精度（Alignment Precision，AP）则为掩模上与晶圆上图形对准时套刻的精度。
图1是主流光刻机ASML中对准系统示意图，对准系统使用He-Ne激光，激光束经镜子反射后，照射在晶圆表面 [1] 。对准系统的主要功能就是将工件台上硅片的标记与掩膜版上的标记对准，并具有一定精度，因为一片硅片在一个工艺流程中的曝光次数可能达到几十次次，而对准精度直接影响硅片的套刻精度，所以硅片的对准精度非常的关键 [1]。
图1 光刻机对准系统示意图
光刻对准在光刻机系统中占据着十分重要的地位，其对准精度和对准速度决定了产品的质量和生产率。一般要求对准精度为最细线宽的1/5到1/3左右。随着光刻机技术水平的提高，线宽的特征尺寸减小到纳米级时，对光刻机对准系统提出了更高对准精度的性能指标。
参考文献：
[1]韦亚一. 超大规模集成电路先进光刻理论与应用. 科学出版社. 2016，123-129.
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