太牛了，详细的电路设计知识：电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管！

EDN电子技术设计今天

电阻

1概念

电阻元件的电阻值大小一般与温度，材料，长度，还有横截面积有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。

导体的电阻通常用字母R表示，电阻的单位是欧姆（ohm），简称欧，符号是Ω（希腊字母，读作Omega)，1Ω=1V/A。比较大的单位有千欧（kΩ）、兆欧（MΩ）（兆=百万，即100万）。

1TΩ=1000GΩ；1GΩ=1000MΩ；1MΩ=1000KΩ；1KΩ=1000Ω（也就是一千进率）

串联：R=R1+R2+．．．+Rn

定义式：R=U/I

电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，还与导体长度、横截面积、材料有关。衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。多数（金属）的电阻随温度的升高而升高，一些半导体却相反。

如：玻璃，碳在温度一定的情况下，有公式R=ρl/s其中的ρ就是电阻率，l为材料的长度，单位为m，s为面积，单位为平方米。可以看出，材料的电阻大小正比于材料的长度，而反比于其面积。

2电阻应用

电阻通常分为三大类：固定电阻，可变电阻，特种电阻。

ＲＸ型线绕电阻，近年来还广泛应用的片状电阻。

按照功率可以分为小功率电阻和大功率电阻。大功率电阻通常是金属电阻，实际上应该是在金属外面加一个金属（铝材料）散热器，所以可以有10W以上的功率；在电子配套市场上专门卖电阻的市场上可以很容易地看到。

电阻在电路中起到限流、分压等作用。通常1/8W电阻已经完全可以满足使用。但是，在作为7段LED中，要考虑到LED的压降和供电电压之差，再考虑LED的最大电流，通常是20mA（超高亮度的LED），如果是2×6（2排6个串联），则电流是40mA。

电位器又分单圈和多圈电位器。单圈的电位器通常为灰白色，面上有一个十字可调的旋纽，出厂前放在一个固定的位置上，不在2头；多圈电位器通常为蓝色，调节的旋纽为一字，一字小改锥可调；多圈电位器又分成顶调和侧调2种，主要是电路板调试起来方便。

排电阻，光敏电阻，使用光敏电阻可以检测光强的变化。

电阻的封装有表面贴和轴向的封装。轴向封装有：axial0.4、axial0.6、axial0.8等等；axial在英语中就是轴的意思；表面贴电阻的封装最常用的就是0805；当然还有更大的；但是更大的电阻不是很常用的。

电阻作为限流应该是最常用的应用之一，对于单片机外围设计来说，电阻的应用非常重要，在很多时候，我们必须在单片机的I/O端口上连接一个限流电阻，保证外围电路不会应用短路、过载等原因烧坏单片机的I/O端口，甚至整个单片机。

面对这些问题，恐怕很多人都是知其然不知其所以然，完全凭靠经验获取，并没有完全按照电路的要求计算取值。为此，在这里提出这些问题，并不想教大家怎么去计算这些值，知道欧姆定律的人都应该知道该怎么计算吧，所以，只是希望大家在选择之前，先了解单片机的这些参数，然后，根据参数进行计算。在计算时一定要留一定的预留空间。

在看一些元器件的DATASHEET文件时，经常会碰到元器件的参数，IOL,IOH,IIL,IIH,我也知道他们指的是输入输出高低电平时的最大最小电流，但在连接时他们之间的匹配问题一直很模糊，如：IOL=1.5MA; IOH=-300UA

IIL=-100UA; IIH=10UA;

参考答案：

IOL和IOH表示输出为低、高电平时的电流值，同样-号表示从器件流出的电流。

4上下拉电阻

上拉是对器件输入电流，下拉是输出电流；强弱只是上拉电阻的阻值不同，没有什么严格区分；对于非集电极（或漏极）开路输出型电路（如普通门电路）提升电流和电压的能力是有限的，上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通道。

►►3 为增强输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。

►►5 芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限，增强抗干扰能力。

►►7 长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上、下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。

就是从电源高电平引出的电阻接到输出端

►►2 如果输出电流比较大，输出的电平就会降低（电路中已经有了一个上拉电阻，但是电阻太大，压降太高），就可以用上拉电阻提供电流分量，把电平“拉高”。（就是并一个电阻在IC内部的上拉电阻上，这时总电阻减小，总电流增大）。当然管子按需要工作在线性范围的上拉电阻不能太小。当然也会用这个方式来实现门电路电平的匹配。

一般作单键触发使用时，如果IC本身没有内接电阻，为了使单键维持在不被触发的状态或是触发后回到原状态，必须在IC外部另接一电阻。

一般说的是I/O端口，有的可以设置，有的不可以设置，有的是内置，有的是需要外接，I/O端口的输出类似于一个三极管的C，当C接通过一个电阻和电源连接在一起的时候，该电阻成为上拉电阻，也就是说，该端口正常时为高电平；C通过一个电阻和地连接在一起的时候，该电阻称为下拉电阻。

5典型应用

在外设没有收到控制时，我们需要把某一外设或单片机I/O端口固定在某一固定电平上时，需要根据需要接上下拉电阻，例如：上图中，对于按键输入来说，在没有按下按键时，如果没有上拉电阻的存在，单片机端口将处于悬乎状态，没有确定电平，当然如果有内部上拉电阻的单片机除外，加上上拉电阻会，在没有按键时，单片机端口保持高电平，有按键时，单片机端口将输入低电平。

而对于蜂鸣器来说，由于和按键有同样的效果，不加上拉电阻，无法区别在没有单片机控制时，三极管的工作状态，所以，必须加上上拉电阻以保障无单片机控制时，三极管截止，蜂鸣器不工作。

有时候由于器件自身设计的原因，如果不接外部上下拉电阻，设备无法正常实现高低电平的转换。例如，对于开漏输出的I2C总线来说，如果不接上拉电阻，其只能输出低电平，无法实现高电平输出，加上上拉电阻，保证在没有控制信号时，通过上拉电阻实现高电平。

电容

1概念

电容（或称电容量）是表现电容器容纳电荷本领的物理量。

电容从物理学上讲，它是一种静态电荷存储介质，可能电荷会永久存在，这是它的特征，它的用途较广，它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。

电容的符号是C。在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，由于法拉这个单位太大，所以常用的电容单位有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等，换算关系是：

1微法（μF）= 1000纳法（nF）= 1000000皮法（pF）。

1伏安时=1瓦时=3600焦耳

一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，即：C=Q/U 但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即：C=εS/4πkd 。其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。常见的平行板电容器，电容为C=εS/d（ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离）。

定义式：C=Q/U

多电容器并联计算公式：C=C1+C2+C3+…+Cn

三电容器串联：C=（C1*C2*C3）/（C1*C2+C2*C3+C1*C3）

2电容的应用

►►1 按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器；

►►3 按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器；

►►5 低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器；

►►7 调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器；

►►9 低耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器；

电容作用

耦合电容：用在耦合电路中的电容称为耦合电容，在阻容耦合放大器和其他电容耦合电路中大量使用这种电容电路，起隔直流通交流作用。

退耦电容：用在退耦电路中的电容器称为退耦电容，在多级放大器的直流电压供给电路中使用这种电容电路，退耦电容消除每级放大器之间的有害低频交连。

谐振电容：用在LC谐振电路中的电容器称为谐振电容，LC并联和串联谐振电路中都需这种电容电路。

中和电容：用在中和电路中的电容器称为中和电容。在收音机高频和中频放大器，电视机高频放大器中，采用这种中和电容电路，以消除自激。

积分电容：用在积分电路中的电容器称为积分电容。在电势场扫描的同步分离电路中，采用这种积分电容电路，可以从场复合同步信号中取出场同步信号。

补偿电容：用在补偿电路中的电容器称为补偿电容，在卡座的低音补偿电路中，使用这种低频补偿电容电路，以提升放音信号中的低频信号，此外，还有高频补偿电容电路。

分频电容：在分频电路中的电容器称为分频电容，在音箱的扬声器分频电路中，使用分频电容电路，以使高频扬声器工作在高频段，中频扬声器工作在中频段，低频扬声器工作在低频段。

调谐电容：连接在谐振电路的振荡线圈两端，起到选择振荡频率的作用。

中和电容：并接在三极管放大器的基极与发射极之间，构成负反馈网络，以抑制三极管极间电容造成的自激振荡。

定时电容：在RC时间常数电路中与电阻R串联，共同决定充放电时间长短的电容。

缩短电容：在UHF高频头电路中，为了缩短振荡电感器长度而串联的电容。

锡拉电容：在电容三点式振荡电路中，与电感振荡线圈两端并联的电容，起到消除晶体管结电容的影响，使振荡器在高频端容易起振。

预加重电容：为了避免音频调制信号在处理过程中造成对分频量衰减和丢失，而设置的RC高频分量提升网络电容。

移相电容：用于改变交流信号相位的电容。

降压限流电容：串联在交流回路中，利用电容对交流电的容抗特性，对交流电进行限流，从而构成分压电路。

S校正电容：串接在偏转线圈回路中，用于校正显像管边缘的延伸线性失真。

消亮点电容：设置在视放电路中，用于关机时消除显像管上残余亮点的电容。

启动电容：串接在单相电动机的副绕组上，为电动机提供启动移相交流电压，在电动机正常运转后与副绕组断开。

3去耦电容

电容的阻抗为1/(2π*f*C)，频率越高，阻抗应该越小。在结构上，小容量的电容器在高的频率处，而大容量的电容器则在较低的频率处，电容的阻抗变得最低。因此，在电源上并联一个小容量电容和一个大容量电容是很有必要的，这样在很宽的频率范围降低电源对地的阻抗。

小容量的电容器是在高频情况下降低阻抗的，所以如果不配置在电路附近，则电容器的引线增长，由于引线本身的阻抗，电源的阻抗不能降低。使用在使用小电容时，一定将尽量靠近器件的电源输入脚，否则就算添加了这个电容也没有任何意义。大容量电容器由于其低频特性，在布局时可以适当离器件远些也没有问题。在低频电路上即使没有小电容C1，电路也能正常工作。但是在高频电路中，比起大电容C2来说，C1起着更为重要的作用。

从习惯上来说，旁路电容也有大小两个电容，形成两条通路，也保证电路的可靠性。

4耦合电容

电容耦合的作用是将交流信号从前一级传到下一级。耦合的方法还有直接耦合和变压器耦合的方法。直接耦合效率最高，信号又不失真，但是，前后两级工作点的调整比较复杂，相互牵连。为了使后一级的工作点不受前一级的影响，就需要在直流方面把前一级和后一级分开。

同时，又能使交流信号从前一级顺利的传递到后一级，同时能完成这一任务的方法就是采用电容传输或者变压器传输来实现。他们都能传递交流信号和隔断直流，使前后级的工作点互不牵连。但不同的是，用电容传输时，信号的相位要延迟一些，用变压器传输时，信号的高频成分要损失一些。一般情况下，小信号传输时，常用电容作为耦合元件，大信号或者强信号传输时，常用变压器作为耦合元件。

在AD于DA电路上，我们需要把数字信号和模拟信号进行相互转换，为保障数字喜欢与模拟喜欢的互不干涉，我们往往需要在单片机的输入端或输出端串联一个电容，对电路进行耦合。

用于振荡回路中，与电感或电阻配合，决定振荡频率（时间）的电容称之为振荡电容。

Fx = F0(1+C1/(C0+CL))^(1/2);

具体公式不用细想，我们可以从中得知负载电容的减小可以使实际频率Fx变大，

原有电路使用的是33pF的两个电容，则并联起来是16.5pF，我们的贴片电容只有27pF,33pF，39pF,所以我们选用了27pF和39pF并联，则电容为15.95pF。电容焊好后，测量比原来大了200多赫兹，落在了设计范围内。

对于这电容来说，大家应该再熟悉不过了，基本上，没有一个带有微处理器的电路都至少有一个带有起振电容的电路。虽然，大多是情况下，我们都是按照经验选择这两个电容。实际上，这样不科学，有的时候晶振并不会工作。所以，选择合适是起振电容还是很有必要的。实际上，不同的晶振，起需要的起振电容是不同的，在购买晶振时应该选择合适的晶振，一般来说在晶振的数据手册上也提供了选择起振电容的依据。

6复位电容

随着+5V直流电压的充电,Al的①脚上的电压达到了一定值,集成电路Al内部所有电路均可建立起初始状态,复位工作完成,CPU进入初始的正常工作状态。这一复位电路的目的:使集成电路Al的复位引脚①脚上直流电压的建立滞后于集成电路Al的+5V直流工作电压规定的时间,如图5-69所示的电压波形可以说明这一问题。

电感

1.电感作为一种能够改变电流的特殊器件，在数字电路中应用相对比较少，一般都应用在与电源相关的部分。

电感（inductance of an ideal inductor）是闭合回路的一种属性。当线圈通过电流后，在线圈中形成磁场感应，感应磁场又会产生感应电流来抵制通过线圈中的电流。这种电流与线圈的相互作用关系称为电的感抗，也就是电感，单位是“亨利（H）”。

自感，互感电感符号：L

1H=10^3mH=10^6μH=10^9nH。

除此外还有一般电感和精密电感之分

精密电感：误差值为5%，用J表示；误差值为1%，用F表示。

2电感应用

电感的作用:通直流阻交流这是简单的说法，对交流信号进行隔离,滤波或与电容器,电阻器等组成谐振电路.

磁环电感的作用：磁环与连接电缆构成一个电感器(电缆中的导线在磁环上绕几圈作为电感线圈)，它是电子电路中常用的抗干扰元件，对于高频噪声有很好的屏蔽作用，故被称为吸收磁环，由于通常使用铁氧体材料制成，所以又称铁氧体磁环(简称磁环)。

在图中，上面为一体式磁环，下面为带安装夹的磁环。磁环在不同的频率下有不同的阻抗特牲。一般在低频时阻抗很小，当信号频率升高后磁环的阻抗急剧变大。可见电感的作用如此之大，大家都知道，信号频率越高，越容易辐射出去，而一般的信号线都是没有屏蔽层的，这些信号线就成了很好的天线，接收周围环境中各种杂乱的高频信号，而这些信号叠加在原来传输的信号上，甚至会改变原来传输的有用信号，严重干扰电子设备的正常工作。

因此降低电子设备的电磁干扰(EM)已经是必须考虑的问题。在磁环作用下，即使正常有用的信号顺利地通过，又能很好地抑制高频于扰信号，而且成本低廉。电感的主要参数有电感量、允许偏差、品质因数、分布电容及额定电流等。

电感量也称自感系数，是表示电感器产生自感应能力的一个物理量。

电感量的基本单位是亨利（简称亨），用字母“H”表示。常用的单位还有毫亨（mH）和微亨（μH），它们之间的关系是：

1mH=1000μH

允许偏差是指电感器上标称的电感量与实际电感的允许误差值

品质因数

它是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高，其损耗越小，效率越高。

3储能电感

例如，在单片机系统中最常使用的开关电源LM2576电源电路中，所有的开关调节器都有两种基本的工作方式：即连续型和非连续型，两者之间的区别主要在于流过电感的电流不同，即电感电流若是连续的则称为连续型；

若电感电流在一个开关周期内降到零则为非连续型。每一种工作模式都可以影响开关调节器的性能和要求。当负载电流较小时，在设计中可采用非连续模式。LM2576 既适用于连续型也适用于非连续型。

通常情况下，连续型工作模式具有好的工作特性且能提供较大的输出功率、较小的峰峰值电流和较小的纹波电压。一般应用时可根据下面公式进行电感的选择：（电压单位：V 电流单位：A）

二极管

在单片机外围电路中，二极管的应用也非常广泛，而且二极管根据其应用不同，种类非常繁多，下面我们主要谈谈发光二极管、续流二极管、整流二极管、限幅二极管等。

二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。

一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。

大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。

因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出如此完美的开与关的方向性，而是较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。

外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。

当二极管两端的正向电压超过一定数值Vth，内电场很快被削弱，电流迅速增长，二极管正向导通。Vth叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。

外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。

一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反响饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数截流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。

二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。

按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。

由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。

点接触型二极管

面接触型二极管

键型二极管

合金型二极管

扩散型二极管

台面型二极管

平面型二极管

合金扩散型二极管

外延型二极管

肖特基二极管

发光二极管

有的网友可能已经使用过多种LED了吧，不过，不知道你是否知道LED的工作电压？不同颜色的LED，由于使用的材料不同，其工作电压是不同的。一般来说红色、黄色的LED，其工作电压在2V左右；而蓝色、绿色和白色的LED，其工作电压在3V左右。

如果设计的产品的专门的LED发光类的产品（LED护栏管、LED照明灯等），应该保证LED的工作电压在其正常工作的电压范围，具体的LED灯的工作电压可以通过LED厂家提供的LED参数确定。同时，如果要让LED正常工作，一般其工作电流在20mA左右。当然，如果我们使用的LED是用来作为指示用，那么并不需要LED发太亮的光，在这种情况下，一般认为LED的工作电压在2V左右，工作电流4mA即可，如果需要调节亮度，可以通过改变限流电阻确定。

上图是最简单的LED应用电路，在这个电路中需要注意的是限流电阻R1的选择。如果该电路用于指示用，而且单片机的I/O端口可以输出4mA左右的电流，则可以直接通过单片机端口控制，则R1的计算公式如下：

但是，如果这个电路用作照明用，显然是单片机的I/O端口是无法输出这么大电流的，这是，我们可以考虑用三级管或FET来开关控制。当然，如果作为一般指示电路使用时，如果单片机无法输出4mA的电流时，也可用于使用三极管货FET来驱动LED。

我们通常所说的“续流二极管”由于在电路中起到续流的作用而得名，一般选择快速恢复二极管或者肖特基二极管来作为“续流二极管”，它在电路中一般用来保护元件不被感应电压击穿或烧坏，以并联的方式接到产生感应电动势的元件两端，并与其形成回路，使其产生的高电动势在回路以续电流方式消耗，从而起到保护电路中的元件不被损坏的作用。

例如：下面的继电器开关电路

当开关的负载为继电器或电动机等电感性负载时，在截断流过负载的电流时（晶体管进入截止状态）会产生反向电动势。这时产生的电压非常大。当这种电压超过晶体管的集电极-基极间、集电极-发射机间电压的最大额定值Vcbo、Vceo时，晶体管将会被击穿。

整流二极管

整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。

普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。

整流二极管一般应用在电源电路中，常见的有交流变直流时的电桥。防止电源接反时的，保护二极管等等。对于这类二极管，主要应用的是其单向导电性。在实际的应用中，比较常用的系列是1N系列。

稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性见图1，稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。

这类二极管往往应用在对电压有一定的特殊要求的地方，高于稳压二极管的电压将会被二极管吃掉，从而起到稳压的作用，当然也可也到限幅的作用。这种二极管一般在单片机电路中，常用用于对输入高电压的信号进行处理，以整输入电压在一个合理的范围，确保不对单片机的I/O端口进行破坏。

三极管

1概述

晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。　对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。

2三极管工作原理

由于三极管大多工作在放大状态，这也是三极管应用的基础，下面我们将从三极管放大开始，逐步了解三极管的工作原理。

三极管是只具有“放大”的单功能器件，这个“放大”功能是非常有用的，在初学者看来三极管的放大工作原理应该是如下图所示：

实际上不是这样的，从能量守恒可以知道，信号是不可能无缘无故被放大的，放大的信号也必定有来源。输入小的信号，要变成放大的信号，这个能量只能来源于电源供电，即由电源输出一个被放大的形状相同的信号。所以，在外部看来，可以看成输入信号被“放大”了，这就是三极管的放大原理。

工作原理

三极管实际上可以这样理解，在三极管的基极和发射极之间加入了二极管，当三极管工作时，基极与发射极之间的二极管的正向压降为0.6~0.7V。反过来可以这样理解，要让三极管工作，实际上可以让三极管里边的二极管工作，当这个二极管工作了，那么三极管以就工作了。

而且从上图可以看出，由箭头可以看出PN极的方向，同时由这个PN结就可以确定管子的类型为NPN，还是PNP了。例如上图的第一个三极管基极的PN结的P，发射极是PN结的N，故集电极应该为N，所以，第1个三极管为NPN型，同样的方法可以确定第2个三极管为PNP。

实际上三极管的NPN和PNP都是由两PN结构成。所以，我们可以认为，三极管的基极和发射机间与基极和集电极之间连接2个二极管。在一般的放大电路中，使基极和发射极之间的二极管导通，使基极和集电极之间的二极管截止来设置三极管各端电位。

3三极管开关电路

上图左边是正常的放大电路，右边是我们需要的开关电路。从这两个波形不难看出，其状态很像，只是一个是正弦波，一个是方波。如果我们把放大倍数调大，或者把输入信号增大，那么会导致什么现象呢？这一点不难想象，输入输出信号的增大，放大波形的上下均会被切掉。切掉后的正弦波是不是很像我们的方波呢？由此可以看出，我们只需要修改这个放大电路，让其进入两个极端就可以得到开关电路了。

从发射极放大电路演变掉开关电路的示意图如下：从图中可以看出，电路（a）去掉输入输出两个耦合电容后得到了电路（b），由于放大倍数是有Rc和Re两个电阻决定的，所以去掉Re后，得到了电路（c），同时，基极偏置电路也没有什么必要，当输入信号为0V时三极管处于截止状态，如图（d）。

上图上边是开路集电极电路，跟负载使用电源没有关系，只要基极有电压，电路就能工作；而上图下边的是开路发射极，基极电压与负载电源是有关系的，输出电压要比输入电压低0.6V。所以，这两种开关电路各有优缺点。上边电路的开关速度不够高，还必须通过添加其他器件来提高其开关速度。而下边电路的开关速度却非常快，但输入电源和输出电源有关联。所以，在实际的应用中，比较常用的还是左边的那种方式，本人也建议尽量采用上边的（b）图，而尽量不要应用右边的这两种方式。

上面提到开路集电极电路的最大缺点就是开关速度不够快，在需要快速开关时，达不到我们的要求，为此下面我们看看怎么来提高其开关速度。

肖特基箍位

提高三极管开关速度的另外一种方法是添加肖特基二极管箍位。这里利用的是这种二极管是采用金属与半导体接触形成具有整流作用，这种二极管的开关速度很快。

三级管的开关应用非常多，常见的有控制继电器、控制LED、控制LCD背光、控制光耦等，一切开关电路几乎都可以使用三极管或者需要三极管协助完成。

继电器是磁性机械开关元件，是用逻辑信号开关各种信号时使用的元件。继电器工作电流相对比较大，直接使用单片机的I/O端口控制是无法实现的，在这种情况下，一般需要使用三极管来驱动控制。在选择三极管时，可以使用NPN，也可以使用PNP。对于这两种三级管来说，唯一不同的就是驱动电平而已，其他完全一致。

驱动常见电路，这里使用的是NPN三极管，高电平控制。为保证没有控制信号时，三极管处于截止状态，继电器不工作，这里加了一个10K的下拉电阻。为了限制基极的输入电流，这里使用了4.3K的限流电阻，保证在单片机控制下，最大输入电流Ib=（5-0.6）/4.3K=1mA。同时，我们再次强调，在继电器端必须并联一个续流二极管，否则开关继电器的同时可能会损坏三极管，这一点我们在讲述二极管时已经说明。

对于需要提供大电流才工作的LED电路，我们也必须考虑使用三极管来驱动，有时甚至会需要多个三极管同时才能驱动。

对于上图来说，每一路LED的显示和每一个LED数码管的驱动，都会使用大的电流。7段数码管的每一段LED需要打电流大概是30mA，而其电流的控制由其串联的限流电阻确定。我们之前也说过，一般LED的工作压降为2V，所以LED的工作电流I=5-2-0.6/82=30mA。

场效应晶体管

对于场效应管来说，在大学期间老师基本没有讲，让自己自学。到了工作的时候，我们发现场效应管应用还是比较广泛的。其实场效应管和三极管还是很相似的。在很多应用中，甚至可以直接贴换三极管。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7～10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

1.与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

（1）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻(Ω)很大。

（2）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

（3）由于不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

2.工作原理