内存RAS特性中最常使用的就是ECC方案。标准 DDR 内存的应用通常采用 side-band ECC，而 LPDDR 内存的应用则采用 inline ECC。鉴于DDR5 和 LPDDR5 信道具有更高的速度和明显的 SI 效应， DDR5 和 LPDDR5 DRAM也分别支持 on-die ECC 和 link ECC两种ECC方案。本文重点介绍的所有 ECC 方案，都囊括在新思科技 DesignWare® DDR5/4 和 LPDDR5/4 IP 解决方案提供先进的 RAS 功能里。

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