据悉，三星将会加大对3nm技术的投入，按照计划明年就可以进行量产。而且，在近日举办的国际固态电路会议上，三星就率先对外展示了自己代工的3nm制程工艺芯片。它是一颗256MB容量的SRAM存储芯片，也是3纳米工艺落地的开始，更是首次采用GAAFET技术和多桥通道场效晶体管。更重要的是，三星代工的3nm芯片不仅展示时间早于台积电，技术也更强。

三星的3nm芯片是采用MBCFET技术，而台积电所使用的还是FinFET技术。这其中，FinFET技术已经在芯片上使用了将近10年时间，帮助芯片完成了从28nm工艺到5nm工艺的跨越。但要知道的是，5nm工艺已经是FinFET技术的所能适应的极限。

事实上，最理想的情况是，在7nm技术时代就对FinFET技术进行过渡性升级。相比于传统芯片采用的FINFET技术而言，三星采用的GAAFET技术明显占据优势，不仅消耗功率低，耗电量低，速度也更快，这表明三星在新技术的应用中确实跑在台积电面前。

此外，与7LPP相比，三星的3GAE工艺可以将晶体管的密度提高到80%，性能提高到30%，或者功耗降低到50%，同样可以更好地控制芯片的功耗、发热等问题。

而在台积电一直领先的前提下，三星之所以能够在技术上实现反超，不得不提到三星近几年的布局和重大研发投入。

三星在研发出3nm芯片后，就是如何提高良品率得以量产。三星虽然研发到了3nm芯片，可是配套生产的工艺并不成熟，这就导致了虽然科技上虽然有所进步，可是在真正投产时却发现了不少问题，特别是芯片制造的良率欠缺，这就成了挡在三星面前最大的一道坎。三星如果不解决芯片生产中的良品率问题就不得不重新投入研发，打造新的一条芯片制造工业链，这才能保证芯片的良率。

据日经新闻称，目前认为在奥斯汀生产的芯片仅限于不太先进的14纳米工艺节点。三星希望在2022年开始提供基于3nm处理器节点技术的芯片。传统上，这家韩国巨头的实力是存储芯片，但彭博社指出，智能手机和计算机处理器等逻辑设备市场更有利可图。

最近，有料爆出三星计划投资170亿美元，在亚利桑那州、德克萨斯州或纽约州建立一个3纳米芯片代工厂。也许这是三星追赶台积电，打响了进攻第一枪，事实也证明了这一点，有知情人透露，在美国的凤凰城以及周边地区，三星已经在开始寻找合适的地点建厂。