IBM 刚刚官宣研发2nm芯片不久,台积电再次发起了挑战!台积电取得1nm以下制程重大突破,不断地挑战着物理极限。近日,台大与台积电、美国麻省理工学院合作研究发现二维材料结合「半金属铋(Bi)」能达极低电阻,接近量子极限。这项研究成果由台大电机系暨光电所教授吴志毅,与台湾积体电路和MIT研究团队共同完成,已在国际期刊Nature上发表,有助实现半导体1nm以下制程挑战。沈品均、吴志毅、周昂升(从左至右)
与此同时,出于利益考虑,全球晶圆代工第一大厂、岛内企业台积电还积极寻求在美建厂,努力之一就是加入了刚刚成立的「美国半导体联盟」。本周二,由美国科技公司主导的游说团体「美国半导体联盟」(Semiconductors in American Coalition,SIAC)成立。Source:SIAC SIAC成员目前包括苹果、谷歌、微软和英特尔,除了这些美国主导科技企业外,还包括三星、海力士,还有光刻机巨头ASML,更有岛内晶圆代工大厂台积电和联发科。对于加入SIAC的消息,台积电没有做出具体回应。Source:SIAC SAIC官网「成员」页的部分截图,可以看到台积电在列这些成员任何一家的限制都会给我们的发展带来阻挡。专家解读,可能让中国更难达成不依赖美国技术、半导体自给自足的目标。SIAC的当务之急是敦促美国政府提供「补助」。 一个由美国两党参议员组成的小组在周五公布了一项「520亿美元」的提案,以在5年内大幅提高美国半导体芯片生产和研究水平。美参议员Mark Kelly等人一直在讨论一项折中的方案,以「应对中国半导体产量的上升,以及芯片短缺对汽车制造和其他美国产业的影响」。这项提案预计将被纳入参议院下周讨论的关于资助美国基础和先进技术研究的法案中。除了这项520亿美元的提案,据美国《国会山报》报道,当地时间5月12日,美国参议院商务、科学和运输委员会以24:4的结果投票通过「无尽前沿」法案,授权在五年内拨款「1100亿美元」用于科技研究。 「无尽前沿」法案将授权五年内将其中1000亿美元投资基础和先进科技研究、商业化、教育和培训项目,其中包括人工智能、半导体、量子计算、先进通信、生物技术和先进能源。此外,法案还包括再拨款「100亿美元」,设立至少十个区域技术中心,并创建一个供应链危机应对计划,来解决殃及汽车生产的「半导体芯片缺口」等问题。Hinrich基金会研究员、新加坡国立大学讲师亚历克斯·卡普里指出,因为美国正大力将半导体价值链与技术转移回美国,并设下保护网,这让「中国大陆提升芯片产业的努力,将更具挑战性」。卡普里认为,台积电大幅度增加对美投资,并参与在美国建立领先的5纳米甚至3纳米芯片制造工厂,可能会给中国大陆带来压力,因为台积电显然不会在大陆盖这类工厂。台积电上月证实曾投资29亿美元扩大在南京的工厂,但该工厂的技术是28nm制程,比台积电在美国亚利桑那州晶圆厂所使用的技术还要落后两至三代。 Intralink电子和嵌入软件部门主管兰道尔说,台积电与其他加入SIAC的公司一样,是出于自身利益的考量,有机会瓜分美国政府的500亿美元资金。同时,他表示,中国没有类似集结全球各地公司的组织,而且组队结盟有助美国与其盟友「长期保有领先中国的优势地位。」