突破碳化硅芯片“卡脖子”技术，中科汉韵SiC功率器件项目通线

金龙快报信息显示，5月24日，江苏中科汉韵半导体有限公司SiC功率器件项目通线仪式在开发区凤凰湾电子信息产业园举行。

据介绍，中科汉韵是中科院微电子所碳化硅科技成果产业转化的成功典范。项目一期建筑面积2.1万平方米，建设年产5000片碳化硅功率器件生产线。

△Source：金龙湖发布

资料显示，中科汉韵成立于2019年，是中国科学院微电子研究所和徐州中科芯韵半导体产业投资基金共同投资的半导体芯片设计和制造企业（IDM），专注于第三代半导体碳化硅MOSFET芯片，致力于高质量碳化硅功率器件国产化，为客户提供高性能的SiC功率器件。

报道指出，该项目的正式通线，标志着我国企业突破了碳化硅芯片设计和工艺制造国产化中的一系列重大“卡脖子”技术，将为徐州市和开发区集成电路产业特别是第三代半导体产业发展注入新的强劲动能。

来源：金龙湖发布

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