日本福岛地震 引发国内光刻胶股市大涨
5月27日，国内股市光刻胶板块持续走强，至上午收盘，板块大幅上涨6.5%。其中广信材料、芯碁微装涨停，涨幅达到20%，容大感光、晶瑞股份、涨超15%，芯源微、扬帆新材、南大光电等涨超11%，格林达、上海新阳等也集体上涨。本周以来，光刻胶板块累计涨幅近10%，板块复苏趋势明显。
引发国内光刻胶板块集体上涨的根源，竟是发生在今年2月份日本福岛海域的一次地震，地震余波才到。
据市场消息称，日本信越化学日前已经向国内多家一线晶圆厂限制供货KrF光刻胶，并已停止向规模更小的晶圆厂供货KrF光刻胶。信越化学之所以停止供货，是由于在今年2月份，日本福岛东部海域发生了7.3级地震。地震致使信越化学在福岛地区的KrF光刻胶产线受到破坏，生产至今尚未完全恢复。由于产能不足，信越化学才被迫做出了上述决定。虽然另一家日本大厂东京应化已填补了大部分的KrF光刻胶产能缺口，但目前仍存在不小的缺口，国内多家晶圆厂正在加速验证导入本土厂商的KrF光刻胶。
今年以来，国内外晶圆厂都在忙着扩产，除台积电、三星、英特尔、联电等之外，国内中芯国际、华虹宏力、广州粤芯等本土晶圆厂也在积极扩产和释放产能。这导致国内光刻胶需求量大增，尤其是在KrF、ArF等高端半导体光刻胶需求方面。半导体光刻胶是晶圆制造过程的关键耗材。如果光刻胶供应不足，各厂商恐怕也是“巧妇难为无米之炊”。
众所周知，按应用分，光刻胶可分为PCB光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶等，其中半导体光刻胶技术含量最高，价格昂贵。半导体光刻胶又分g线/i线、KrF、ArF，以及EUV光刻胶几类，其中g线用于6寸晶圆；i线主要用于6寸/8寸晶圆；KrF用于8寸晶圆；ArF和EUV用于12寸晶圆。
当前处于技术低端领域的PCB 光刻胶和LCD光刻胶我国基本已经实现了国产替代，但半导体光刻胶核心技术和产品基本被国外大厂垄断。日本合成橡胶、东京应化、信越化学等五大光刻胶厂商占据全球约87%的市场份额。根据SEMI数据，日本几大厂商在g线/i线、KrF、ArF胶市场中市占率分别为61%、80%、93%，而国内g线/i线自给率约为20%，KrF光刻胶的自给率不足5%，12寸硅片的ArF光刻胶目前尚无国内企业可以大规模生产。
近年来，随着半导体行业的蓬勃发展，半导体材料需求旺盛，光刻胶市场需求保持了良好的增长态势。据工信部及研究机构的报告显示，十三五期间，我国光刻胶市场实现了年均14.5%的增长，五年平均复合增长率为12.12%，2020年全国光刻胶整体的市场规模达到了176亿元，其中半导体光刻胶市场规模达24.8亿元。
ArF光刻胶是集成电路制造领域需求最大的材料，未来市场前景广阔。据富士经济预测，未来ArF、KrF光刻胶将有比较稳定的增长趋势，2023年全球ArF光刻胶产能有望达到1879吨，规模接近49亿元。
由于高端光刻胶长期被国外企业垄断，高端光刻胶的保持期通常只有6至9个月的时间，一旦遭到自然灾害或人为的贸易冲突，我国芯片制造企业就会被“卡脖子”。因此，高端光刻胶国产化势在必行。
国内从事半导体光刻胶研发和生产的企业主要有：晶瑞股份、南大光电、上海新阳、北京科华、容大感光、博康等，多以i线、g线光刻胶生产为主，应用于350nm以上制程。高端光刻胶产品领域，北京科华、博康已经量产可用于130nm制程的KrF光刻胶，北京科华从在去年就已经开始大量导入国内多家晶圆厂；晶瑞股份都已经量产g线/i线光刻胶；上海新阳投建的干法ArF光刻胶尚无实质进展；南大光电的ArF光刻胶已通过某一客户认证，晶瑞股份KrF光刻胶已经完成中试，正进入客户测试阶段；容大感光尚未实现高端光刻胶量产，涉足ArF光刻胶的企业目前尚处于研发阶段。
业内分析认为，造成这国光刻胶产业落后的原因主要有以下几个方面：
光刻胶上游原料依赖进口。在光引发剂、树脂等光刻胶重要原料领域，日本同样具有较高的垄断地位。国内仅有博康技术达标，能实现上游材料生产。
光刻机是研制光高端刻胶的重要设备，光刻机设备价格昂贵，大大超出了大多数国内厂商所能承受的范围，而且国外对于向我国出口光刻机也有诸多限制，这也进一步加大了研发难度。
光刻胶具有纯度要求高、工艺复杂等特征，需要具备多种技术和配方，包括光化学、有机合成技术等，这些技术的形成都需要长期的研发和经验积累。我国企业进入光刻胶领域的时间短，与日本龙头企业存在较大差距，大量专利技术掌握在海外企业手中，有着极高的技术壁垒。
光刻胶的验证周期长，要求严苛，得到下游客户认证需要较长时间，半导体光刻胶的验证周期通常为2至3年，下游客户考虑到产品质量的因素，不会轻易更换供应商，导致国内光刻胶研发生产进展缓慢。
国内光刻胶领域人才匮乏，研发能力不强，仍需要引进海外技术专家和人才团队。
（6）高端光刻胶的前期研发需要大量资金支持，国内企业规模不，难以支撑前期研发投入，需要外部资金投入。