雷神技术公司将把其专有的GaN-on-Si技术授权给GF，后者将在其位于佛蒙特州伯灵顿的第9工厂开发这种新的半导体。

氮化镓是一种用于构建高性能半导体的材料，可以有效降低器件热损耗提高功率水平。这使其成为处理5G和6G无线信号的理想选择，与传统的无线系统相比，这些信号需要更高的性能水平。 

雷神技术公司是先进的射频砷化镓技术的先驱之一，广泛用于移动和无线市场。Raytheon Technologies 的首席技术官 Mark Russell 表示，他们在推进用于先进军事系统的氮化镓技术也处于世界的最前沿。 

新的 GaN 产品将提高射频性能并维持生产和运营成本。这将使客户能够将功率和功率附加效率提高到新水平，以满足不断发展的5G和6G毫米波工作频率标准。 

此次合作标志着GLOBAL FOUNDRIES 在提供差异化解决方案方面的最新战略合作伙伴关系。在过去10年中，该公司已在美国半导体开发领域投资了150亿美元。它计划在2021年将其计划投资增加一倍，以扩大全球产能。 

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