光刻胶｜南大光电在逻辑芯片55nm工艺节点获客户认证

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来源 ：南大光电公告

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5月31日，南大光电发布公告，江苏南大光电材料股份有限公司（以下简称“公司”）控股子公司宁波南大光电材料有限公司（以下简称“宁波南大光电”）自主研发的 ArF 光刻胶产品继 2020 年 12 月在一家存储芯片制造企业的 50nm 闪存平台上通过认证后，近日又在逻辑芯片制造企业 55nm 技术节点的产品上取得了认证突破。具体情况如下：


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一、认证评估情况认证评估结果显示，本次认证系选择客户 55nm 技术节点逻辑芯片产品的工艺进行验证，宁波南大光电研发的 ArF 光刻胶的测试良率结果符合要求，表明其具备 55nm 平台后段金属布线层的工艺要求。


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二、通过客户认证对公司的价值 ArF 光刻胶材料是集成电路制造领域的重要关键材料，可以用于 90nm-14nm 甚至 7nm 技术节点的集成电路制造工艺。广泛应用于高端芯片制造（如逻辑芯片、 存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云计算芯片等）。ArF 光刻胶的市场前景好于预期。随着国内 IC 行业的快速发展，自主创新和国产化步伐的加快，以及先进制程工艺的应用，将大大拉动光刻胶的用量。


南大光电表示，ArF光刻胶产品与本次认证通过的客户之间的产品销售与服务协议尚在协商之中。ArF光刻胶的复杂性决定了其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险，不仅需要技术攻关，还需要在应用中进行工艺的改进、完善，这些都会决定ArF光刻胶的量产规模和经济效益。


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