南大光电:自主研发的ArF光刻胶产品再次通过客户认证

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5月31日消息,南大光电公告,自主研发的ArF光刻产品继2020年12月在一家存储芯片制造企业的50nm闪存平台上通过认证后,近日又在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破。认证评估结果显示,本次认证系选择客户55nm技术节点逻辑芯片产品的工艺进行验证,宁波南大光电研发的ArF光刻测试良率结果符合要求,表明其具备55nm平台后段金属布线层的工艺要求。



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转自:SEMI
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