中微半导体首台8英寸CCP刻蚀设备交付

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今天，中微半导体设备（上海）股份有限公司（简称“中微公司”）首台 8 英寸甚高频去耦合反应离子（CCP）刻蚀设备 Primo AD-RIE 200 顺利付运客户生产线。
 
据悉，Primo AD-RIE 200 是中微公司自主研发的新一代 8 英寸甚高频去耦合反应离子（CCP）刻蚀设备。基于已被业界广泛认可的 12 英寸 CCP 刻蚀设备的成熟工艺与特性，Primo AD-RIE 200 在技术创新和生产效率方面都有了进一步提升，能够满足不同客户 8 英寸晶圆的加工需求。
 
为提高生产效率，Primo AD-RIE 200 刻蚀设备可灵活配置多达三个双反应台反应腔（即六个反应台）。此外，Primo AD-RIE 200 提供了可升级至 12 英寸刻蚀设备系统的灵活解决方案，以满足客户生产线未来可能扩产的需求。
 
在刻蚀设备方面,泛林半导体 (LamResearch)、东京电子 (Tokyo Electron)、 应用材料 (Applied Materials)，HitachiHigh-Technologies 占据全球主要市场份 额，估计中微全球份额还不到 2%, 介质刻蚀 CCP 份额不到 4%，硅／金 属刻蚀ICP 份额不到 1%。最主要是因为中微缺乏美国，欧洲，日本，韩国的 逻辑及存储器半导体大厂客户，金属／硅刻蚀 ICP 销售比重仍低，及缺乏关键 层（Critical layer）的刻蚀技术。
 
中微公司所销售的刻蚀设备以电容性耦合的等离子体源 (CCP，Capacitively Coupled Plasma) 及电感性耦合的等离子体源 （ICP，Inductive Coupled Plasma）干法刻蚀设备这两种为主。而等离子体源刻蚀设备是一种大型真空的 全自动的加工设备, 一般由多个真空等离子体反应腔和主机传递系统构成。等离 子体刻蚀设备的分类与刻蚀工艺密切相关,其原理是利用等离子体放电产生的带 化学活性的粒子,在离子的轰击下, 与硅片表面的材料（铝 Al，多晶硅Poly-Si, 二氧化硅 SiO2，硅化物）发生化学反应,产生可挥发的气体, 从而在表面的材料 上加工出微观结构，但通常高蚀刻速率（在给定时间内去除的材 料的量）也相当的重要。
 
CCP 介质刻蚀是中微的主力：但根据产生等离子体方法的不同,干法刻蚀 主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻蚀; 根据被刻蚀材料类型的不同, 电容性等离子体干法刻蚀 CCP 主要是刻蚀不导电的介质材料如二氧化硅 Silicon dioxide SiO2、氮化硅 Siliconnitride Si3N4、二氧化铪 HfO2、光刻胶Photoresist 等。电容性等离子体刻蚀（CCP）主要是以高 能离子在较硬的介质材料上, 刻蚀高深宽比的深孔、深沟等微观结构。而根 据我们对行业链的调研，中微目前近 80－90%的半导体刻蚀设备营收是从 销售前（Front end of line），中 ( Mid end of line)，后段( Back end of line)CCP 而来，虽然有 7 纳米逻辑的刻蚀产品线，但还是以非关键性（non－ critical）为主。

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